Длинноволновая граница - чувствительность
Cтраница 2
Частота vKp и соответствующая ей длина волны 2 - Kp c / vKp называются красной границей, характеризующей длинноволновую границу чувствительности фотокатода. [16]
 |
Спектр шума в полупроводниках. [17] |
Фотоэлектрические приемники, как правило, имеют небольшую постоянную времени ( поскольку не требуется, как в тепловых приемниках, времени на нагрев) и характеризуются резкой длинноволновой границей чувствительности, так как фотоны с энергией ниже определенного предела не в сотоянии перевести электроны в возбужденное состояние, а от этого и зависит процесс обнаружения излучения. Фотосопротивления, которые требуют относительно меньшей энергии для возбуждения, чувствительны до более длинных волн, однако фотосопротивления приходится охлаждать до низких температур, чтобы устранить насыщение за счет тепловой энергии. По характеру проводимости различают фотоэлектрические приемники с собственной проводимостью и проводимостью п ил р-типа в зависимости от того, определяется их чувствительность переходами электронов непосредственно из валентной зоны в зону проводимости, с примесных уровней в зону проводимости, или из валентной зоны на примесные уровни соответственно. [18]
Спектральная чувствительность фотоэлементов зависит, главным образом, от материала катода и его обработки, что позволяет в довольно широких пределах менять работу выхода электронов на катоде фотоэлемента, и тем самым меняют длинноволновую границу чувствительности фотоэлемента. На рис. 118 6 показана спектральная чувствительность различных типов катодов. В зависимости от рабочей области спектра применяют фотоэлементы с разными катодами. Например, для работы в ультрафиолетовой области и в видимой вплоть до К 6000 А применяют фотоэлементы с сурьмяно-цезиевым, а в области более длинных волн с кислородно-цезиевым катодом. При выборе фотоэлемента следует обращать также внимание на прозрачность его колбы. Так, для работы в ультрафиолетовой области колба фотоэлемента должна быть изготовлена из плавленого кварца или увиолевого стекла. [19]
Спектральная чувствительность фотоэлементов зависит, главным образом, от материала катода и его обработки, что позволяет в довольно широких пределах менять работу выхода электронов на катоде фотоэлемента; и тем самым меняют длинноволновую границу чувствительности фотоэлемента. На рис. 123, б показана спектральная чувствительность различных типов катодов. В зависимости от рабочей области спектра применяют фотоэлементы с разными катодами. [20]
Широкое применение нашли сопротивления на базе сернистого свинца, что объясняется их высокой чувствительностью в более широком, чем у ФС-К, диапазоне спектра. Длинноволновая граница чувствительности достигает значений 2 7 мк для неохлажденного слоя я 4мк для слоя при температуре 77 К. При охлаждении происходит также и сдвиг максимума спектральной характеристики с 2 1 до 2 7 мк. [21]
Фотографические светочувствительные материалы) простирается от корпускулярного ( а, ( 3-ча-стицы) и рентгеновского излучений в ИК-область спектра примерно до 1360 ммк. Однако длинноволновая граница чувствительности несенсибилизированных материалов находится примерно при 520 ммк, Очувствление фотографич. [22]
 |
Спектральные характеристики фотокатодов. [23] |
Фотокатод имеет максимум чувствительности к излучению с длиной волны 0 8 мк. Работа выхода составляет немного меньше 1 эв, что соответствует длинноволновой границе чувствительности 1 2 мк. Квантовая эффективность равна приблизительно 5 10 - 3 для видимого участка спектра. Сурьмяно-цезиевый фотокатод ( Sb-Cs) имеет максимальную чувствительность в сине-зеленой области спектра. Квантовая эффективность велика и составляет 0 2 на длине волны 0 45 мк. Многощелочные фотокатоды ( Sb-K-Na-Cs) отличаются высокой чувствительностью и малыми темновыми токами. [24]
Параметры фоторезисторов npit охлаждении изменяются довольно значительно. Так, у сернистосвинцовых фоторезисторов в зависимости от степени охлаждения фотослоя длинноволновая граница чувствительности смещается вправо до 4 - 5 мкм ( рис. 5 - 20), значительно возрастает темновое сопротивление, увеличивается постоянная времени. [25]
 |
Спектральная зависимость коэффициента поглощения ( Ь собственной ( I и примесной ( II фотопроводимостей. [26] |
При значительном понижении температуры полупроводников на основе соединений свинца ширина их запрещенной зоны уменьшается, в результате чего длинноволновая граница фотопроводимости, как следует из выражения: ( 18), смещается в сторону более длинных волн. Обратную картину имеют соединения на основе индия ( InSb, InAs), длинноволновая граница чувствительности которых при охлаждении смещается в сторону более коротких волн. [27]
От интегральной чувствительности фотоэлемента зависит практическая разрешающая способность фотоэлектрического прибора, так как при малочувствительных фотоэлементах приходится работать с широкими выходными щелями. Чувствительность фотоэлемента изменяется в зависимости от длины волны. Длинноволновая граница чувствительности определяется в основном составом и некоторыми свойствами фотокатода ( табл. 9), от которых зависит его работа выхода. [28]
 |
Схемы включения вентильных фотоэлементов. [29] |
Фотосопротивления ФС-АО, ФС-А1, ФС-А2, ФС-А4, ФС-А6 изготовляют из сернистого свинца. Эти фотосопротивления имеют максимальную чувствительность в ИК-области и могут быть использованы в радиационной пирометрии и ИК-спектроскопии. Длинноволновая граница чувствительности достигает 2 7 мк. Фотосопротивления ФС-АГ1 и ФСАГ2 приспособлены для работы в условиях высокой влажности. [30]
Страницы: 1 2 3