Cтраница 3
По первой диаграмме одновременно устанавливается, что величина поля рассеивания находится в нижней части поля допуска и имеет тенденцию к выходу за границы поля. Из двух последних диаграмм видно несоответствие между заданными допусками размеров и точностными возможностями технологических процессов. [31]
Для закона распределения случайной величины х, область возможных значений которой не ограничена ни слева, ни справа, нижняя и верхняя границы поля рассеяния могут быть найдены, если известен интегральный закон распределения F ( z) нормированной случайной величины Z ( x - mx) / ax, для которой mz 0 и azl. [32]
При определении точности группы однотипных механизмов определяют не значения ошибок в каждом отдельном механизме, которые будут функциями случайных величин, а устанавливают границы поля рассеяния ошибок положения механизмов или предельную ошибку положения ( максимально возможное значение ошибки), отсчитываемую от нулевого значения. [33]
Теоретически границами поля являются бесконечно удаленные точки, в которых E Q, и поверхности проводников, на которых ф const; - практически же границы поля будут там, где оно перестает проявляться с избранной степенью точности. [34]
Теоретически границами толя являются бесконечно удаленные точки, в которых Е - 0, и поверхности проводников, на которых ф const; практически же границы поля будут там, где оно перестает пэоявляться с избранной степенью точности. [35]
Теоретически границами поля являются бесконечно удаленные точки, в которых Е - О, и поверхности проводников, на которых ф const; практически же границы поля будут там, где оно перестает проявляться с избранной степенью точности. [36]
Вывести формулу для вычисления по заданной составной переменной номера байта, начиная с которого размещается соответствующее ей значение, предполагая, что нумерация байт ведется от границы поля размещения структуры. [37]
При этом в то время как все остальные элементы, указанные нами выше, записываются начиная с границы поля А, предложения со словом SELECT записываются начиная с границы поля В. [38]
В аксиально симметричном поле, как и в однородном, имеет место фокусировка и в том случае, если пучок проходит в магнитном поле только часть пути, когда источник и приемник вынесены за границы поля. [39]
Как указывалось выше, процесс подготовки к выводу на экран изображения, подвергнутого преобразованию, выполняется в два этапа: вначале изображение преобразуется в координаты экрана, а затем отсекаются части, выходящие за границы поля индикации. Выполнение процесса в таком порядке приводит к некоторым излишним затратам. Можно подвергнуть преобразованию большое число отрезков и в конце концов убедиться в том, что большинство из них лежит вне экрана. [40]
![]() |
Зависимость напряженности магнитного поля от радиуса. [41] |
На входе и выходе ионных пучков в магнитное поле полюсные наконечники имеют круговые срезы. Границы поля, принимаемые во внимание при расчете ионноопти-ческих свойств масс-спектрометра, фактически являются воображаемыми линиями. [42]
![]() |
Поле уровней т ] к const, ZK const в плоскости ГХ1 - ГХ2 ( на рисунке - t, в С. [43] |
Результаты расчета представлены на рис. 6 в виде поля с линиями равной селективности riK и равной производительности ZK. Границы поля определяются условиями равенства максимальной температуры внутри реактора допустимой температуре. Из рисунка видно, что в диапазоне изменения цк от 0 6 до 0 7 увеличение т ] к на 0 01 сопровождается уменьшением ZK на 0 015 и что оптимальный по производительности температурный режим характеризуется достижением ограничения в каждой ступени реактора. [44]
![]() |
Диаграмма для выбора насосного оборудования и режима откачки ( станки-качалки по ГОСТ 5866 - 66. [45] |