Cтраница 4
Уже Гелъмгольц заметил, что поверхности раздела образуются также и при обтекании тел. В связи с этим Кирхгоф разработал общий метод для исследования течений в том случае, когда границы тела составлены из прямых линий. [46]
Уже Гельмгольц заметил, что поверхности раздела образуются также и при обтекании тел. В связи с этим Кирхгоф разработал общий метод для исследования течений в том случае, когда границы тела составлены из прямых линий. [47]
Однако отсутствие касательного напряжения в жидкости по обе стороны какой-либо малой поверхности, мысленно проведенной в жидкости, означает полное отсутствие внутреннего трения, так что в этом случае не может быть никакого рассеивания энергии. Далее, если твердое тело движется в жидкости или жидкость обтекает твердое тело, то предполагается, что твердая поверхность не может оказывать никакого тангенциального действия на жидкость, так что жидкость свободно обтекает границы тела и не происходит никакого рассеивания энергии из-за трения. Это свойство идеальной жидкости особенно отличает ее от реальной, так как эксперимент показывает, что реальная жидкость прилипает к поверхности твердого тела, погруженного в нее. [48]
Предыдущий раздел главы 2 был посвящен задаче Коши. Наше главное внимание было уделено волновому уравнению ( 1 13), которому подчинены колебания однородных изотропных упругих тел. Ср не пересекает границы тела. [49]
Что касается транзисторов, полученных с помощью односторонней диффузии, то в них основная доля падения напряжения между коллектором и эмиттером открытого транзистора приходится на падение напряжения в теле коллектора. В этих приборах падение напряжения на переходах имеет тот же порядок, что и в сплавных транзисторах. На участке от границы тела эмиттера до границы тела коллектора падение напряжения в транзисторах, полученных с помощью двойной односторонней диффузии, описывается тем же выражением ( 3 - 32), что и в сплавных транзисторах. Падение напряжения в теле эмиттера у этих транзисторов достаточно мало, так как эмиттерная область легирована сильно. Коллекторная область транзисторов, полученных двойной односторонней диффузией ( рис. 2 - 13), легирована относительно слабо. Это необходимо для того, чтобы коллекторный переход в этих структурах мог держать достаточно высокое напряжение. [50]
Вышеизложенные рассуждения для бесконечной пластины были сделаны исходя из предположения, что тепловое сопротивление на ее поверхности отсутствует, и коэффициент теплопроводности имеет конечное значение. Напомним, что в основе анализа лежит внезапное повышение температуры на поверхности тела. Теперь рассмотрим случай, когда границы тела характеризуются определенным коэффициентом теплоотдачи, а коэффициент теплопроводности материала весьма велик. [51]
Что касается транзисторов, полученных с помощью односторонней диффузии, то в них основная доля падения напряжения между коллектором и эмиттером открытого транзистора приходится на падение напряжения в теле коллектора. В этих приборах падение напряжения на переходах имеет тот же порядок, что и в сплавных транзисторах. На участке от границы тела эмиттера до границы тела коллектора падение напряжения в транзисторах, полученных с помощью двойной односторонней диффузии, описывается тем же выражением ( 3 - 32), что и в сплавных транзисторах. Падение напряжения в теле эмиттера у этих транзисторов достаточно мало, так как эмиттерная область легирована сильно. Коллекторная область транзисторов, полученных двойной односторонней диффузией ( рис. 2 - 13), легирована относительно слабо. Это необходимо для того, чтобы коллекторный переход в этих структурах мог держать достаточно высокое напряжение. [52]