Двойниковые границы

Cтраница 2

При рассмотрении недеформированного аустенита этот метод имеет существенное преимущество перед вакуумным травлением, так как он: фиксирует структуру аустенита практически мгновенно, что важно для динамических процессов; резко выделяет слаботравящиеся двойниковые границы созданием цветового контраста пограничных объемов; надежно исключает из рассмотрения в качестве границ следы движения границ аустенит-ных зерен; отличается большой наглядностью. [16]

Распространяясь, 4 кУсоны способны прокалывать дислокации, создавая вокруг них дополнительную атмосферу точечных дефектов. Когерентные двойниковые границы могут служить стопорами для фокусонов. Результатом рассеяния фокусонов ( или его остановки) на когерентной двойниковой границе также является образование точечных дефектов. Дефекты, возникшие в процессе движения, рассеяния и остановки фокусонов в монокристаллах, проявляют тенденцию к анизотропному распределению вдоль некоторых избранных направлений. Так, например, при бомбардировке монокристаллов меди ионами О2 - с энергией 1 9 - Ю 15 Дж зародыши анизотропно ориентированной по оси [ ПО ] Си закиси меди выявляются после нагрева облученных кристаллов меди при 350 - 800 С в атмосфере с малым содержанием кислорода. Фокусоны рассеиваются также на тепловых колебаниях решетки. На рис. 8 - 9 нанесена зависимость длины пробега ( длины фокусона п) от его энергии при различных температурах подложки. ПО ] мишени из-за рассеяния на тепловых колебаниях, рассчитанных теоретически и полученных экспериментально. Существенно более высокое рассеяние, наблюдаемое экспериментально, вызвано рассеянием на вакансиях. [17]

Фазовая диаграмма для потенциала. Однопараметрическая. [18]

Особое внимание к фазовым переходам в доменных стенках, проявляемое в последнее время, безусловно связано с открытием высокотемпературной проводимости и указанием [67, 68] на тот факт, что температура фазового перехода в сверхпроводящее состояние в двойниковых границах выше, чем температура такого перехода в объеме материала. Другими словами, доменные или двойниковые границы рассматриваются как естественный фактор, способствующий повышению температуры перехода в сверхпроводящее состояние. [19]

Дополнительная, но меньшая доля энергии границы обусловлена несогласованностью в расположении вторых соседей и более удаленных атомов. Из этого следует, что больше-угловые границы обладают большей энергией, а двойниковые границы и границы между когерентными фазами - меньшей. Этот вывод может быть подтвержден расчетами и экспериментами. [20]

Представление о сверхрешетках совпадения позволяет решать задачи, важные для полупроводникового материаловедения. Например, с помощью этого подхода удается однозначно объяснить экспериментально наблюдаемые в элементарных полупроводниках двойниковые границы. После того как ориентация н особенности границы и решетки совпадения установлены, может быть определен характер искажения и обрыва связей на границе. Последнее чрезвычайно важно для определения влияния границы на полупроводниковые свойства материала. [21]

Кроме границ зерен, характеризующихся большими углами разориентировки между соседними зернами и отсутствием упорядоченного расположения атомов, существуют и другие границы с более тонкой структурой. Например, в пределах одного зерна обнаруживаются малоугловые границы или границы субзерен, а также двойниковые границы. [22]

Как уже отмечалось, двойникующая дислокация является границей области, перешедшей путем сдвига в новое положение, и, следовательно, имеет все свойства, обычно присущие полным дислокациям, которые также являются границей сдвига. Если на границе нет заметного скачка упругих свойств ( такими, как правило, являются обычно двойниковые границы), то асимметрия поля напряжений двойникующей дислокации будет малой, и двойникующую дислокацию без всяких оговорок можно рассматривать в рамках континуальной теории дислокаций. Вектор Бюргер-са двойникующей дислокации не является вектором исходной решетки или решетки двойника и равен расстоянию, которое проходит каждая плоскость решетки при двойникующем сдвиге. [23]

Зависимость коэффициента теплового расширения соединения In Ga P от состава. [24]

Монокристаллы арсенида индия выращивают в напр. В MOI; - кристаллах не допускаются трещины, сколы и другие дефекты, видимые IR -, - оружейным глазом, а также малоугловые и двойниковые границы и скольжения. [25]

В книге помещены переводы статей, опубликованных в зарубежной периодической печати в последние годы. В I части книги рассматривается атомная структура различных дефектов в кристаллах полупроводников с решеткой алмаза и цинковой обманки ( сфалерита): полные и частичные дислокации, дефекты упаковки, дислокации несоответствия, а также наклонные границы, в том числе двойниковые границы высокого порядка. Во II части описаны структура и происхождение некоторых типов дефектов, встречающихся главным образом в эпитаксиальных пленках; дефекты упаковки, микродвойниковые ламели и более сложные дефекты типа трипирамид, возникновение которых обусловливается многократным двойникованием. [26]

В книге помещены переводы статей, опубликованных в зарубежной периодической печати в последние годы. В I части книги рассматривается атомная структура различных дефектов в кристаллах полупроводников с решеткой алмаза - и цинковой обманки ( сфалерита): полные и частичные дислокации, дефекты упаковки, дислокации несоответствия, а также наклонные границы, в том числе двойниковые границы высокого порядка. Во II части описаны структура и происхождение некоторых типов дефектов, встречающихся главным образом в эпитаксиальных пленках; дефекты упаковки, мпкродвойниковые ламели и более сложные дефекты типа трипирамид, возникновение которых обусловливается многократным двойникованием. [27]

КОН ( температура плавления 360 С [3]) плавится обычно уже при температуре 330 - 340 С, вероятно, вследствие присутствия следов влаги, которую он поглощает при хранении. Однако через некоторое время ( 10 - 15 мин) расплав загустевает, так что необходимо повышать температуру примерно до 360 С. Продолжительное травление ( 40 - 150 мин) при этой температуре позволяет выявлять мельчайшие детали структуры поверхности, следы сегрегации примеси, получать более или менее четкие фигуры травления на гранях отрицательных простых форм и куба, обнаруживать двойниковые границы и дефекты упаковки ( см. ниже) на всех гранях, кроме [ hhl. Повышение температуры до 380 С позволяет уменьшить время травления до 10 - 15 мин. При температуре выше 400 С кристаллы перетравливаются: тонкие детали структуры поверхности исчезают. Для очистки поверхности кристаллов перед измерениями удельного электросопротивления можно использовать травление при 360 С в течение 2 - 3 мин. На рис. 2 - 5 приводятся картины травления с помощью КОН. [28]

КОН ( температура плавления 360 С [3]) плавится обычно уже при температуре 330 - 340 С, вероятно, вследствие присутствия следов влаги, которую он поглощает при хранении. Однако через некоторое время ( 10 - 15 мин) расплав загустевает, так что необходимо повышать температуру примерно до 360 С. Продолжительное травление ( 40 - 150 мин) при этой температуре позволяет выявлять мельчайшие детали структуры поверхности, следы сегрегации примеси, получать более или менее четкие фигуры травления на гранях отрицательных простых форм и куба, обнаруживать двойниковые границы и дефекты упаковки ( см. ниже) на всех гранях, кроме hhl. Повышение температуры до 380 С позволяет уменьшить время травления до 10 - 15 мин. При температуре выше 400 С кристаллы перетравливаются: тонкие детали структуры поверхности исчезают. Для очистки поверхности кристаллов перед измерениями удельного электросопротивления можно использовать травление при 360 С в течение 2 - 3 мин. На рис. 2 - 5 приводятся картины травления с помощью КОН. [29]

Эффективное использование резервов заложенных в материалах свойств приобретает актуальнейшее значение на современном этапе. О величине таких резервов достаточно красноречиво свидетельствует, например, теоретическая оценка прочности твердых тел, в частности металлов. Такая большая разница между значениями теоретической и технической прочности обусловлена наличием в реальном материале различных дефектов: микроскопических - точечных ( вакансии, межузельные атомы, примесные атомы в твердых растворах), линейных ( дислокации), двухмерных ( поверхностные и двойниковые границы, дефекты упаковки, межзеренные границы в поликристалле) и макроскопических ( включения других фаз, поры, трещины и пр. [30]

Страницы: 1 2 3