Грань - зародыш
Cтраница 2
 |
Схема роста двухмерного зародыша. [16] |
На рис. 1 схематично показан двухмерный зародыш и направления его роста. Энергетически наиболее вероятным направлением роста является направление /, так как работа образования зародыша в положении 1 минимальна и минимально число свободных граней вновь образуемого зародыша. [17]
 |
I t -, . a - in ДЕ. e ti го ( аролыша. [18] |
На рис. 1 схематично показан двухмерный зародыш и направления его роста. Энергетически наиболее вероятным направлением роста является направление /, так как работа образования зародыша в положении / минимальна и минимально число свободных граней вновь образуемого зародыша. [19]
В то же время, длинноцепочечная природа полимерных молекул требует, чтобы зародыш кристаллизации был анизодиаметричным. Более того, вследствие анизотропии сил, действующих в кристаллической решетке полимера в направлении вдоль длинной оси макромолекулы ( силы внутримолекулярного взаимодействия) и в поперечном направлении ( силы межцепного взаимодействия), структура боковых и торцевых граней зародыша кристаллизации должна различаться. [20]
В жидких металлах атомы обладают большой подвижностью, а энергия активации Е мала по сравнению с Акр. Этим объясняется то, что металлы трудно переохлаждаются и не переходят в стеклообразное состояние. В связи с этим при кристаллизации металлов наблюдается лишь восходящая ветвь кривой зависимости и от AT. Процесс кристаллизации включает в себя и рост этих центров. Рост зародышей не может осуществляться путем присоединения к их граням отдельных атомов, так как из-за малого координационного числа энергия взаимодействия такого атома с решеткой мала. Рост кристалла происходит вследствие того, что на гранях зародыша образуются двумерные кристаллические зародыши, которые разрастаются по всей грани, создавая новый слой. [21]
 |
Монокристаллы ферроцена, выращенные из пара. [22] |
В том варианте, в котором его применял Хонигман [38] для выращивания кристаллов гексаметилентетрамина, он состоит из металлической блочной печи, окружающей стеклянную трубку размером 15 х 2 5 см, которая охлаждается в одном месте медной пластинкой, соединенной с выходящей из печи и охлаждаемой медной трубкой. Степень охлаждения регулируется нагревателем, который представляет собой змеевик, расположенный вокруг медной трубки. При температуре роста от 30 до 100 С образование одного зародыша, если только оно возможно, достигается понижением температуры коллекторной пластинки на 5 - 15 и, чтобы не происходило образования других зародышей, быстрым повышением ее до температуры, на 0 5 - 0 6 меньшей температуры роста. Было описано выращивание свободных от дефектов плоских кристаллов размером 1 см2 и толщиной 3 мм; размеры пластинок зависели от площади охлаждаемой поверхности. Прибор, как видно из рис. 28, состоит из колбы емкостью Зл; внутренняя поверхность колбы путем возгонки покрыта слоем поликристаллического бензофенона. В центре колбы подвешивается зародыш кристалла бензофенона, закрепленный в оправе из оловянной фольги с таким же противовесом. Пары, диффундирующие от стенок колбы, приходят в состояние пересыщения вблизи более холодного зародыша, что вызывает конденсацию пара и рост открытой грани зародыша. Скорость роста при различных пересыщениях может быть определена с помощью торзионных весов по изменению веса зародыша. [23]
Страницы: 1 2