Боковая грань - пластина
Cтраница 2
Зависимости угла обзора от углового размера знака представлены на рис. 2.43. Они соответствуют глубине утопленно-сти знака по отношению к лицевым кромкам боковых граней прозрачной пластины, через которую осуществляется индикация, не более 1 5мм и расстоянию от наружной кромки знака до боковой грани прозрачной пластины не менее 2 5 мм при отсутствии бликов на рабочей поверхности индикатора. [17]
Расчету послойных полей напряжений в пограничных областях у боковых граней пластин из композитов посвящено много работ, что можно объяснить рядом; причин. [18]
Поле Е, действует на электроны с силой F - еЕг, направленной против силы Лоренца. В установившемся состоянии сила F уравновешивает силу Лоренца, и дальнейшее накопление электрических зарядов на боковых гранях пластины прекращается. [19]
Поле х действует на электроны с силой Р - - q x, направленной против силы Лоренца. При F - Fn поперечное электрическое поле уравновешивает силу Лоренца и дальнейшее накопление электрических зарядов на боковых гранях пластины прекращается. [20]
 |
Различные конструкции магниторезисторов. [21] |
Каждая часть пластины полупроводника между двумя металлическими полосами представляет собой отдельный магниторезис-тор. Можно также считать, что металлические полосы выполняют роль шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, возникающую на боковых гранях пластины полупроводника. [22]
 |
Различные конструкции магниторезисторов. а - магниторезистор в виде диска Корбино, б - магниторезистор, изготовленный из пластинки полупроводника с малой длиной, в. [23] |
Каждая часть пластины полупроводника между двумя металлическими полосами представляет собой отдельный магниторезистор. Можно также считать, что металлические полосы выполняют роль шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, возникающую на боковых гранях пластины полупроводника. [24]
Гальваномагнитные преобразователи ( ГМП) основаны на физических эффектах, возникающих в находящихся в магнитном поле твердых телах при движении в них заряженных частиц. В качестве измерительных преобразователей практическое применение получили главным образом полупроводниковые ГМП, основанные на использовании эффектов Холла и Гаусса. Эффект Холла заключается в возникновении поперечной разности потенциалов ( ЭДС Холла) на боковых гранях пластины, а эффект Гаусса, или магниторезистивный эффект, проявляется в изменении электрического сопротивления пластины. Оба эффекта обусловлены изменением траектории движения заряженных частиц в магнитном поле, возникают одновременно и связаны между собой так, что каждый из них приводит к ослаблению другого. Выбирая определенным образом конструкцию и состав материала преобразователя, можно усилить один из эффектов и ослабить другой, создавая таким образом преобразователи Холла, или магниторезистивные преобразователи. [25]
Страницы: 1 2