Cтраница 4
![]() |
Опора поворотного стола полуавтомата 1К282. [46] |
Средняя часть колонны имеет плоские грани, на которых закрепляются направляющие суппортов. К верхнему торцу колонны крепится нижний венец. [47]
На микрофотографиях отчетливо видны плоские грани кристаллов. [48]
![]() |
Основные параметры листовой детали. [49] |
Базовая грань - это плоская грань детали, содержащая линию сгиба. [50]
Для измерения на две противоположные плоские грани образца и эталона наклеивают датчики с одинаковым сопротивлением. Испытуемые образцы и эталон вместе с датчиками помещают в термостат. [52]
Такой механизм обеспечивает рост плоской грани, причем не нужно вводить никаких предположений о взаимодействии на расстоянии. Трудно придумать какой-либо другой механизм, который обеспечивал бы плоскогранный рост и в то же время был бы совместим с основными физическими законами. Этот вывод является очень общим и не зависит от предположений о детальном механизме, посредством которого молекулы встраиваются в кристалл. Этот механизм имеет фундаментальное значение в теории роста кристаллов, и в дальнейшем мы будем говорить о нем как о принципе послойного роста. Конечно, и раньше предполагали, что кристаллы растут путем распространения мономолекулярных слоев по поверхности. [53]
Поверхность многогранника состоит из плоских граней - многоугольников. Поэтому площадь поверхности многогранника равна сумме площадей всех его граней. [54]
Для выделения на чертеже плоских граней, например квадратного стержня ( рис. 303, а) или отверстия ( рис. 303, б), рекомендуется проводить на них диагонали сплошными тонкими линиями. [55]
Многогранная поверхность состоит из плоских граней. Из этого следует, что задача о пересечении кривой поверхности с многогранной в основном сводится к более простой задаче о пересечении кривой поверхности с плоскостью. [56]
![]() |
Ростовые дефекты при кристаллизации из растворов. [57] |
Для данного вещества неустойчивость плоских граней и начало образования включений обычно характеризуются вполне определенным значением пересыщения, которое зависит от размеров кристалла. [58]
Соединение производится путем сопряжения плоских граней двугранного угла f ( рис. 2.1.12), которые, как правило, подвергают шлифовке. [59]
Электромагнитное излучение падает на плоскую грань пластины. [60]