Естественная грань - кристалл
Cтраница 1
 |
Геометрические характеристики семи кристаллических систем. [1] |
Естественные грани кристалла образованы некоторыми из этих плоскостей. [2]
Например, естественные грани кристалла поваренной или каменной соли ( NaCl) пересекаются под прямым углом и потому эти кристаллы имеют часто форму прямоугольных параллелепипедов или разбиваются на прямоугольные лараллелепипеды при ударе молотка. [3]
Рентгеновское излучение падает на естественную грань кристалла каменной соли ( NaCl), от которой происходит отражение второго порядка. [4]
 |
Ход электронных лучей при отражении от плоского. [5] |
Чаще всего для этой цели используется плоскошлифованная поверхность или естественные грани кристаллов. Шлифовка должна быть по возможности самой тонкой, ибо при грубой шлифовке картины получаются очень плохими. [6]
Плоскости спайности отличаются от естественных граней тем, что естественную грань кристалла можно отбить и она не повторится, а плоскости спайности можно получать многократно, пока позволяют размеры кристалла. [7]
Рассмотрим несколько детальнее опыт, при котором световой пучок падает нормально на естественную грань кристалла. Опыт показывает, что внутри кристалла идут два луча, из которых один ( обыкновенный) есть продолжение падающего, а второй ( необыкновенный) отклонен и лежит вместе с первым в главной плоскости. Из кристалла выходят два луча, лежащих в главной плоскости и параллельных падающему, но смещенных друг относительно друга. [8]
 |
Схемы краевой ( и и БИНТОВОЙ ( о дислокзцки, имеющих вектор Бюргерса [ 000с ]. [9] |
Электронномик-роскопические наблюдения пока не дают сведений о таких дислокациях, но на их наличие указывает световой микроанализ топографии поверхности естественных граней кристаллов графита, обнаруживающий на этих гранях спиральные холмики роста и другие детали микрорельефа, связанные с присоединением атомов углерода к неисчезающим ступенькам. [10]
 |
Схема установки для оптической ориентации кристаллов. / - источник света. 2, 4-линзы. 3, 5-диафрагма. 6-белый экран. 7-образец. [11] |
В частности, для получения полупроводниковых квантовых генераторов на р - - я-переходах, в которых зеркалами резонатора обычно служат естественные грани кристалла, поверхность пластин ориентируется перпендикулярно к плоскостям, по которым легче всего получить хорошие сколы. [12]
Большинство опытов травления, в особенности в металлографии, где травление используется очень широко, проводятся, однако, не на естественных гранях кристалла. В этих случаях, при условии, что воздействию подвергается вещество кристалла и кристалл не покрыт защитной пленкой, как это часто имеет место с металлами, растворение в принципе возможно повсеместно; однако избыточная энергия деформации вблизи дислокации может привести к более быстрому растворению, вызывая ямку у выхода каждой дислокации. В этом случае направление вектора Бургерса не имеет большого значения и все дислокации выявляются. Но из этого не следует, что каждая ямка представляет дислокацию: частицы включенной примеси могут также вызывать появление ямок в результате того, что они деформируют окружающую область кристалла, или вследствие его химической природы, и ямки, которые они вызывают, могут оказаться неразличимы от тех, которые образуются на дислокациях. Наиболее надежное доказательство, что ямки связаны с дислокациями, получается в том случае, когда дислокации группируются на субграницах, так что ямки образуют линию точек на поверхности кристалла. Немногие другие причины могут вызывать появление таких линий, хотя, конечно, следует остерегаться царапин или трещин. Наилучшим примером является пример с травлением очень чистого германия, на котором Фогель и его сотрудники [ 221 подтвердили идентичность дезориентации, измеренной на субгранице методом рентгеновской дифракции и выведенной из расстояния между дислокациями, выявленными в виде ямок травления. Третья возможность связи ямок травления с дислокациями, и, вероятно, одна из наиболее важных, является косвенной и состоит в выделении примесей из твердого раствора на дислокациях, которые в свою очередь дают начало травлению. Это - единственный механизм в случае, когда имеется защитный слой, кристаллическая структура которого не является непрерывным продолжением лежащего под ним исследуемого кристалла. Указанные авторы применили эту теорию потому, что необходимо было объяснить отсутствие ямок травления вблизи границ зерен, поскольку не было причин считать, что дислокации здесь отсутствуют. Предполагается, что вследствие повышенной диффузии на границах зерен и на дислокациях происходит выделение некоторого количества частиц на границах зерен, которое приводит к истощению растворенного - вещества в остальной части границы и на заметном расстоянии ( 20 микрон) вдоль дислокаций, которые оканчиваются на этих границах. [13]
 |
Строение простой кубической решетки.| Изображение узлов и некоторых плоскостей решетки кристалла. [14] |
Узел решетки - это место, где находится частица. Естественные грани кристалла образованы некоторыми из этих плоскостей. [15]
Страницы: 1 2