Cтраница 1
График зависимости энергии от расстояния т приведен на рис. А. При достаточно малых г необходимо учитывать силы отталкивания между ионами, вызванные взаимодействием электронных оболочек. Энергия отталкивания очень быстро растет по мере сближения ионов ( рис. А. [1]
Постройте график зависимости энергии вандерваальсова отталкивания [ уравнение ( 14 - 1) ] от расстояния г между атомными центрами. [2]
При нанесении на график зависимости энергии активации Е от lg Ко видно, что изменение энергии Е при определении изменений в скоростях реакции [98] обусловлено главным образом ( но не целиком) заместителями. [3]
На рис. 94 представлен график зависимости энергии Ц7ЭЛ электростатиче - эл ского взаимодействия двух точечных зарядов от расстояния г между ними. [4]
Такой те вид имеет график зависимости энергии от волнового числа электрона в среде с постоянным потенциалом, соответствующим теории металлов Зоммерфельда. [5]
На рис. 25 приведен график зависимости энергии от квадрата волнового вектора для свободных электронов в одномерной решетке. Строго говоря, волновой вектор k квантован; однако, поскольку кристалл обычно гораздо больше длины волны электрона, возможно большое число состояний, так что кривая является по существу непрерывной. Континуум уровней энергии составляет зону. В любом из энергетических состояний в пределах зоны имеются два электрона, движущиеся в противоположных направлениях, поэтому результирующей проводимости нет. [6]
![]() |
Зависимость безразмерной энергии диссипации R от частоты для средних значений коэффициента потерь т. [7] |
На рис. 4.6 показан график зависимости безразмерной энергии диссипации от частоты в системе с одной степенью свободы при слабом демпфировании и возбуждении колебаний через опору для трех различных случаев: гистере-зисного демпфирования, вязкого демпфирования и демпфирования в реальном материале, для которого зависимости k и TI от частоты колебаний определялись экспериментально. Безразмерный параметр R энергии диссипации равен отношению энергии, поглощаемой системой при колебаниях, к энергии, которая поглощается аналогичной системой с массивным телом, закрепленным на пружине. На рис. 4.7 показаны соответствующие зависимости для системы с одной степенью свободы, где в качестве упругого элемента было применено связующее вещество с высокими демпфирующими свойствами. [8]
Энергетическая диаграмма ( профиль) реакции - график зависимости энергии реагирующей системы ( откладывают по оси ординат) от некоторого параметра ( по оси абсцисс), измеряющего развитие изучаемого процесса и называемого координатой реакции. [9]
На рис. 3.11 показана схема образования энергетических зон на примере Na, представляющая собой график зависимости энергии от межатомных расстояний. [11]
Рассчитайте энергию притяжения двух толстых параллельных пластин в водной среде, если расстояния между поверхностями равны 5, 10, 15, 20 и 50 нм и постройте график зависимости энергии от расстояния. [12]
Рассчитайте энергию притяжения двух толстых параллельных пластин в водной среде, если расстояния между поверхностями равны 5, 10, 15, 20 и 50 нм и постройте график зависимости энергии от расстояния. [13]
По собственным частотам колебаний атомов в молекуле А и ангармоничности со е и ш еХе: 1) определите волновое число 7 и частоту v максимумС В поглощения, соответствующих переходам молекул с уровня с квантовым числом и 0 на уровень и 1 и с уровня v - 0 на уровень v - 2 при неизменном электронном состоянии; 2) установите, в каком участке спектра - инфракрасном, видимом или ультрафиолетовом - расположены полосы поглощения, соответствующие указанным переходам; 3) определите максимальное значение колебательного квантового числа vmax; 4) определите энергию колебательного движения на нулевом и на максимальном колебательных квантовых уровнях ( Дж); 5) определите энергию химической связи в молекуле А ( Дж / моль); 6) определите энергию колебательного движения на двух и трех колебательных квантовых уровнях в интервале от уровня с и - 0 до vmax; 7) постройте график зависимости энергии колебательного движения от колебательного квантового числа на основании рассчитанных выше энергий колебательного движения; 8) определите долю молекул, находящихся на нулевом и на первом колебательных квантовых уровнях при 300 и 1000 К. [14]
![]() |
Зонная структура свободной частицы в схеме широкой зоны ( а и в схеме приведенной зоны ( б. [15] |