Cтраница 1
Термовакуумное испарение является наиболее универсальным методом получения тонких пленок. [1]
При испарении тугоплавких материалов методами термовакуумного испарения имеется ряд трудностей, о которых указывалось выше. За короткий срок в дополнение к ранее известным диодным системам были разработаны триодные и тетродные системы с автономным ионным источником, а также системы, использующие высокочастотное напряжение, что позволило распылять этим методом практически любые материалы, применяемые в производстве ИМС. [2]
Примером является ТО получения тонких пленок методом термовакуумного испарения. При испарении уменьшается масса материала на испарителе, что ведет к увеличению сопротивления испарителя, а следовательно, к снижению тока. Чтобы не изменялась скорость испарения, в процессе операции производится регулировка тока так, чтобы его значение оставалось неизменным. Эта операция описывается системой дифференциальных уравнений с коэффициентами, зависящими от времени и от других технологических и физических параметров процесса испарения. [3]
Тонко-пленочные резисторы изготавливаются тремя основными методами: термовакуумным испарением, катодным или плазменным распылением и осаждением из газовой фазы. [4]
Для нанесения тонких пленок наиболее часто применяют два мете да: термовакуумное испарение и ионное ( катодное) распыление в тлеющем разряде. Для получения рисунка применяют ряд методов, наибольшее распространение из которых получили методы свободной ( механической) маски, контактной маски и избирательного травления. Первый метод заключается в использовании маски-трафарета, через щели и отверстия которой воспроизводят рисунок микросхемы. Дальнейшее усовершенствование этого метода привело к использованию контактной маски, которая получается вакуумным осаждением тонкой металлической пленки непосредственно на поверхность подложки. Однако при использовании масок возникает бесчисленное множество проблем, связанных с механическими напряжениями в маске и с возможными загрязнениями. Поэтому в последнее время наиболее часто применяют метод избирательного травления, в особенности при создании сложных конфигураций. При этом методе пленки наносят на всю поверхность подложки, а затем производят вытравливание нужной конфигурации методами фотолитографии. [5]
В книге рассматриваются физико-химические основы типовых процессов производства интегральных микросхем: термовакуумного испарения, катодного распыления, химических и электрохимических методов получения слоев, диффузии, эпитаксии, ионного внедрения и фотолитографии. Описываются технологии изготовления интегральных гибридных пленочных и интегральных полупроводниковых микросхем, а также применяемое оборудование. [6]
В качестве покрытия в фотошаблонах широко применяются тонкие пленки хрома, нанесенные методом термовакуумного испарения на поверхности оптического стекла. Рисунок хромированного фотошаблона выполняется методом фотолитографии. [7]
В качестве покрытия в фотошаблонах стали применять тонкие пленки хрома, нанесенные методом термовакуумного испарения на поверхность оптического стекла, а рисунок хромированного фотошаблона выполнять методом фотолитографии. [8]
Слой алюминия для нижней обкладки толщиной от 0 5 до 1 0 мкм наносится на подложку обычными методами термовакуумного испарения. Моноокись кремния испаряется в вакуумной камере, откачанной до 5 - 10 - 8Па или меньше. Лодочка с отражателем, нагреваемая вольфрамовой нитью, содержит моноокись кремния в гранулированном виде. Отражатель предохраняет попадание микрочастиц от источника на подложку. Скорость напыления поддерживается в диапазоне от 0 0070 до 0 009 мкм / с, температура подложки 300 С. Толщина пленки может быть точно проконтролирована во время осаждения с помощью фотометрических методов. [9]
Одна из наиболее распространенных структур: алюминий с подслоем хрома - проводящий слой и моноокись кремния, полученная термовакуумным испарением, - изоляционный слой. [10]
Используя способность различных материалов быстро испаряться в вакууме при достижении ими температуры, соответствующей давлению насыщенных паров 0 1 - 1 Па, был разработан метод получения тонких пленок конденсацией испаренного вещества. Этот метод был назван методом термовакуумного испарения. [11]
Процесс нанесения пленок складывается из двух этапов: превращения вещества в газообразное состояние и конденсации. По способу превращения вещества в газообразное состояние методы вакуумного нанесения подразделяются на термовакуумное испарение, катодное и ионно-плазменное распыление. Термовакуумное испарение осуществляется нагревом испаряемого вещества. При этом вещество плавится, а затем образуется пар. Катодное распыление заключается в использовании явления разрушения катода, который является испаряемым веществом, при бомбардировке его ионизированными атомами газа. Разновидностью катодного распыления является ионно-плазмен - юе. [12]
Процесс нанесения пленок складывается из двух этапов: превращения вещества в газообразное состояние и конденсации. По способу превращения вещества в газообразное состояние методы вакуумного нанесения подразделяются на термовакуумное испарение, катодное и ионно-плазменное распыление. Термовакуумное испарение осуществляется нагревом испаряемого вещества. При этом вещество плавится, а затем образуется пар. Катодное распыление заключается в использовании явления разрушения катода, который является испаряемым веществом, при бомбардировке его ионизированными атомами газа. Разновидностью катодного распыления является ионно-плазмен - юе. [13]