Дальнейшее испарение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Для любого действия существует аналогичная и прямо противоположная правительственная программа. Законы Мерфи (еще...)

Дальнейшее испарение

Cтраница 1


Дальнейшее испарение приводит к выделению из раствора твердых частиц ацетилена. Поскольку такие частицы легче жидкого кислорода, они всплывают и скапливаются на поверхности, что создает опасную ситуацию.  [1]

Дальнейшее испарение следует осуществлять уже в заводских условиях с получением при охлаждении карналлита.  [2]

3 Пути испарения на проекциях диаграммы растворимости. [3]

Дальнейшее испарение происходит по кривой двойного насыщения при кристаллизации двух твердых фаз до тройной точки, а в случае ее инконгруэнтности - до следующего конечного пункта кристаллизации трех солей - конгруэнтной эвтонической точки. Количество и состав выпадающих твердых фаз могут быть рассчитаны графически. Графические расчеты по квадратной диаграмме определяют только солевой состав жидкой и твердой фаз на различных стадиях кристаллизации. Для определения количества воды необходимо также построить вертикальную ( водную) проекцию на боковые грани фигуры.  [4]

Дальнейшее испарение следует осуществлять уже в заводских условиях с получением при охлаждении карналлита.  [5]

6 Изменения солевого состава рассола Б. Соленого оз. в процессе бассейной переработки. [6]

Дальнейшее испарение рассола С, сопровождается выделением в твердую фазу смеси галита, каинита ( KCl - MgS04 - 3H20) и эп-сомита с содержаниеа 8 - 12 % калия ( сырые калийно-магниевые соли), а его состав переходит в точку G. Из-за очень низкого содержания натрия ( на рис. IX.5 дан в виде хлорида) декагидрат сульфата натрия не образуется. Если рассол необходимо освободить от сульфат-иона, его подвергают зимнему охлаждению ( изменение состава по линии EtKi) с выделением в осадок эпсомита и карналлита.  [7]

8 Часть диаграммы состояния, поясняющая процесс образования кристаллов соединения АВ ( 1 г при испарении компонента В из раствора А-В.| Часть диаграммы состояния, поясняющая процесс образования кристаллов соединения АВ ( 1 - 8 методом насыщения раствора компонента А летучим компонентом В. [8]

Поэтому дальнейшее испарение компонента В создает в этой области пересыщение, которое приводит к появлению зародышей кристалла.  [9]

При дальнейшем испарении ( при 100) раствора х в осадок будет выделяться смесь солей KNO3 и NH4C1 до тех пор, пока точка х не достигнет положения Еш; с этого момента в осадок выпадают соли KNO3, NH4C1 и NH4NO3 до полного высыхания раствора.  [10]

При дальнейшем испарении ( при 100) раствора х в осадок будет выделяться смесь солей KNO3 и NH4C1 до тех пор, пока точка х не достигнет положения Elw с этого момента в осадок выпадают соли KNO3, NH4C1 и NH4NO3 до полного высыхания раствора.  [11]

12 Изотерма растворимости для двух солей. [12]

При дальнейшем испарении состав раствора будет непрерывно изменяться и его фигуративная точка, передвигаясь вдоль луча испарения, будет занимать ряд промежуточных положений / па, т3 до эвтонической точки С; при этсм будет происходить выделение соли AM в твердую фазу.  [13]

14 Диаграмма растворимости соли В в воде с явным максимумом и образованием устойчивого кристаллогидрата F. [14]

При дальнейшем испарении раствор остается ненасыщенным до точки d, где происходит насыщение его безводной солью.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5