Cтраница 2
Коэффициент вторичной эмиссии изоляторов, так же как и проводящих поверхностей, зависит от энергии ( скорости) первичных электронов. На рис. 19 - 34 изображен примерный график зависимости коэффициента вторичной эмиссии изолятора от ускоряющего напряжения, определяющего энергию первичных электронов. [16]
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому зависимость проводимости примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. На рис. 323 дан примерный график зависимости In 7 от 1 / Г для примесных полупроводников. Участок АВ описывает примесную проводимость полупроводника. Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей. Участок 6С соответствует области истощения примесей ( это подтверждают и эксперименты), участок CD описывает собственную проводимость полупроводника. [17]
Такая структура точечного отображения сохраняется при малых возмущениях параметров, от которых точечное отображение и его производная зависят непрерывно. Поэтому зависимость числа вращения от таких параметров такова, что каждое рациональное значение р, сохраняется неизменным в некоторых областях их изменения. На рис. 7.39 изображен примерный график зависимости числа вращения от параметра, который обозначим буквой v, с соблюдением этого требования. [18]
Состояние равновесия при 0 я / 4 неустойчиво, при 0 л / 2 устойчиво. Это показано схематически на рис. 14.12.2, здесь же приведен примерный график зависимости силы F от координаты а. Если дислокации имеют разные знаки, картина получается противоположной, при 0 я / 4 дислокации стремятся сблизиться, при 0 я / 4 стремятся удалиться. [19]