Cтраница 2
![]() |
Влияние заряда попииона на скорости реакций попиион - небольшой ион. [16] |
В результате на графике зависимости скорости от рН появляется максимум, который находится в области, соответствующей приблизительно протонизации четверти групп. [17]
На рис. 13 представлены графики зависимости скорости и пути равномерного прямолинейного движения от времени. [18]
На рис. 5 представлены графики зависимостей скорости роста, удельной электропроводности и подвижности от расстояния между источником индия и подложкой. Видно, что скорость роста с расстоянием не изменяется. Из кривых для подвижности и удельной электропроводности можно предположить, что небольшое уменьшение подвижности и увеличение удельной электропроводности связано с возможным изменением состава газовой фазы вдоль реактора. [19]
![]() |
Зависимость производительности СПО от средних скоростей спуска и подъема колонны ( ис и о и интенсивности торможения ( а. [20] |
На рис. 83 приведены графики зависимостей скорости СПО Иф, от коэффициента / ССпо, скорости подъема и спуска колонны и ускорений при торможении. Из графиков видно, что при данных параметрах буровой установки увеличение Vi и аг - сверх номинальных значений не приводит к сколько-нибудь заметному росту скорости СПО. [21]
![]() |
Графики зависимости w от jgrad p. [22] |
На рисунке 18.9 приведены графики зависимости скорости фильтрации от градиента фильтрационного давления, соответствующие линейным и нелинейным законам фильтрации. [23]
На рисунке 18.9 приведены графики зависимости скорости фильтрации от градиента фильтрационного давления, которые соответствуют линейным и нелинейным законам фильтрации. [24]
На рис. 9.4 приведены графики зависимости скорости реакции от концентрации субстрата в жидких и замороженных растворах. Как видно, зависимости скорости от концентрации 2 3-диметил - 1 4-нафтогидрохинонил - 1-фосфата в жидкой фазе при 23 5 С ( кривая /) и в замороженных растворах при - 17 С ( кривая 2) сильно различаются. [26]
![]() |
Зависимости скорости роста удельной. [27] |
На рис. 3 приведены графики зависимостей скорости роста, удельной электропроводности и подвижности от температуры подложки. При этом расход водорода для разбавления PC1S равен 1 л / мин, расход РС13 - 9 %, температура индия 850 С, ориентация подложки ( 100), расстояние между источником индия и подложкой 150 мм. [28]
![]() |
Зависимости скорости роста, [ IMAGE ] Зависимости скорости роста. [29] |
На рис. 4 представлены графики зависимости скорости роста, удельной электропроводности и подвижности от температуры источника индия. Как видно, скорость роста пленки увеличивается от 0 до 6 мк / ч с увеличением температуры индия от 800 до 1200 С, причем в интервале температур 800 - 850 С наблюдается более крутое увеличение скорости роста, а при температурах выше 750 С - более медленное. [30]