Cтраница 3
Уравнение (4.50) пригодно для расчета теплопроводности монокристалла графита и поликристаллических графитов. Расчет теплопроводности графита в интервале температур от 80 до 3000 К сравнительно прост. Экспериментально определяют плотность и температуру, соответствующую минимальному удельному электросопротивлению, по которой рассчитывается размер кристаллитов Ьа. По значению La определяются 8; и Тнач, г, а затем по (4.48) и (4.50) можно рассчитать теплопроводность при требуемой температуре. [31]
В последующих разделах будут даны некоторые технические характеристики производства плотного поликристаллического графита высокой чистоты. [32]
![]() |
Зависимость коэффициента установившейся ползучести от скорости относительного изменения размеров кристаллитов и прочности материала. ( На кривых указана температура облучения. [33] |
Келли и - Форман предлагают [215] теорию установившейся радиационной ползучести поликристаллического графита. [34]
В пористости как бы концентрируются влияния многих факторов на свойства поликристаллического графита. [35]
Помещенные в табл. 11 результаты показывают, что модули упругости поликристаллических графитов, в конечном итоге, зависят от особенностей их структуры, сформированной в процессе производства. [36]
Мейсн и Книббс [42], исследуя температурную зависимость модуля Юнга поликристаллического графита в области температур 273 - 1273 К, обнаружили минимум на кривой температурной зависимости и гистерезис модуля при нагревании и охлаждении. Температура, соответствующая минимуму, меняется от 373 до 473 К в зависимости от природы образца. [37]
Исследование графитации различных углеродистых веществ показывает, что процессы формирования структуры поликристаллического графита не заканчиваются при 2773 К-Следовательно, нагревание си-системы до еще более высоких температур будет сопровождаться еще некоторыми структурными изменениями в самой системе. Однако эти изменения не будут уж так существенны, как в предыдущих случаях, и не приведут к каким-либо резким изменениям характеристических функций полученного искусственного графита. [38]
Образец 1 - 65 проявляет зависимость, которую можно ожидать от поликристаллического графита / г-типа, но скорее в соответствии с данными Кинчина [22], чем Мрозовского и Чаберского [38]; хорошо графитизи-рованные образцы ПГ показывают некоторую температурную зависимость коэффициента Холла. [39]
![]() |
Связь энергии активации реакций окисления в углекислом газе и на воздухе различных углеродных материалов с показателем их дефектности Lan [ La. [40] |
Эф, Е0 - энергия активации окисления данного материала - и бездефектного поликристаллического графита; ho - параметр, характеризующий условия эксперимента; В-постоянная. [41]
![]() |
Зависимость коэффициента теплопроводности поликристаллических графитов от температуры.| Характеристика поликристаллических графитов ( 53. [42] |
На рис. 53 представлены кривые, изображающие температурные зависимости коэффициента теплопроводности различных поликристаллических графитов в низкотемпературной области. [43]
Следуя Боуэну [35] и Кинчину [22], мы примем, что в поликристаллическом графите при переносе в основной плоскости имеются два механизма рассеяния: термическое рассеяние решеткой и граничное рассеяние кристаллитами. [44]
Некоторые материалы, например пирографит, практически не изменяются при прокалке, поверхность поликристаллических графитов, напротив, сильно искажается за сч ет эрозии. Пористые материалы покрываются при этом тонким слоем сажеобразного вещества с более низкой температурой, чем у основной массы образца. [45]