Диффузия - носитель - ток
Cтраница 1
 |
Схема триода с двухслойной базой. [1] |
Диффузия носителей тока в этом случае происходит только в низкоомном слое 3, который делают сравнительно тонким. В слое с высоким сопротивлением, занятом объемным зарядом, перенос носителей происходит чрезвычайно быстро под воздействием сильного электрического поля. [2]
Диффузия носителей тока с фронта УВ ведет к объемному перераспределению зарядов во фронте УВ. Сущность этого явления заключается в динамическом электрон-фононном взаимодействии, т.е. в увлечении носителей тока фононами, поляризованными в направлении движения УВ, причем знак диффундирующих зарядов совпадает со знаком основных носителей заряда в веществе при нормальных условиях. [3]
Диффузия носителей тока с фронта УВ ведет к объемному перераспределению зарядов во фронте УВ. [4]
Диффузия носителей тока с фронта УВ ведет к объемному перераспределению зарядов во фронте УВ. Сущность этого явления заключается в динамическом электрон-фононном взаимодействии, т.е. в увлечении носителей тока фононами, поляризованными в направлении движения У В, причем знак диффундирующих зарядов совпадает со знаком основных носителей заряда в веществе при нормальных условиях. [5]
Рассмотрим, как влияет расположение освещенного участка на сопротивление фоторезистора в предположении, что не происходит диффузии носителей тока из освещенной области в затемненную. [6]
D c) характеризует толщину слоя, 5 ( T / D) 1 / 2 определяет отношение поверхностной рекомбинации к объемной; 5 - скорость поверхностной рекомбинации; D - коэффициент диффузии носителей тока в полупроводнике; т - время их жизни при освещении в стационарном состоянии. [7]
В одних НС инерционность вызвана тепловыми процессами, в других-процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в третьих-процессами ионизации и деиониза-ции ( которые также протекают не мгновенно), в четвертых-инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [8]
В одних НС инерционность вызвана тепловыми процессами, в других - процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в-третьих - процессами ионизации и деионизации ( которые также протекают не мгновенно), в-четвертых - инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [9]
В одних НС инерционность вызвана тепловыми процессами, в других - процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в-третьих - процессами ионизации и деионизации ( которые также протекают не мгновенно), в четвертых - инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [10]
В одних HP инерционность вызвана тепловыми процессами, в других - процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в третьих - процессами ионизации и деиониза-ции ( которые также протекают не мгновенно), в четвертых - инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [11]
В одних НС инерционность вызвана тепловыми процессами, в других - процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в третьих - процессами ионизации и деионизации ( которые также протекают не мгновенно), в четвертых - инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [12]
 |
Схема триода с двухслойной базой. [13] |
В такой конструкции удачно разрешается задача одновременного снижения сопротивления базы и емкости коллектора. Одновременно до-стигается увеличение пробивного напряжения коллекторного перехода. Для получения малых значений времени диффузии носителей тока через базу приложенное к коллектору напряжение должно быть достаточно большим, чтобы область объемного заряда заняла почти весь слой с повышенным сопротивлением. [14]
Если а1 ом 1 см 1, то т010 - 12 сек, и, следовательно, всякий пространственный заряд, возникший в объеме вещества, очень скоро исчезнет. Это, казалось бы, означает, что ни при каких условиях объемный заряд существовать не может. Более точные вычисления, в которых принята во внимание диффузия носителей тока и которые будут рассмотрены ниже, показывают, что очень слабые объемные заряды могут существовать и что они могут приводить к возникновению очень сильных внутренних электрических полей. Предыдущий анализ неоднородных полупроводников показывает, что подобные пространственные заряды и поля существуют везде, где меняется концентрация доноров и акцепторов. [15]
Страницы: 1 2