Диффузия - основной носитель
Cтраница 2
 |
Обратное включение р-п перехода.| Прямое включение р-п перехода. [16] |
Снижение потенциального барьера в прямо включенном р-п переходе облегчает диффузию основных носителей, поэтому ток диффузии увеличивается. Более подробно этот процесс объяснен в следующем параграфе. [17]
Конечно, это накопление не беспредельно, оно ограничено диффузией основных носителей через р-п переход ( см. гл. [18]
Почему при контакте двух полупроводников разного типа электропроводности начинается процесс диффузии основных носителей заряда. [19]
 |
Приложение обратного ( а и прямого ( б напряжений к / 7-я-переходу. [20] |
При прямом смещении / 7-л-перехода появляется ( диффузионный) ток, вызванный диффузией основных носителей, преодолевающих потенциальный барьер. [21]
Поскольку / гу яр и PP PN, через переходный слой должна происходить диффузия основных носителей. [22]
 |
Распределение потенциалов в транзисторе р-п - р. а - в состоянии покоя. б - при прямом включении транзистора. [23] |
На переходах между эмиттером и базой, а также между базой и коллектором вследствие диффузии основных носителей возникают потенциальные барьеры. Если между эмиттером и базой приложено положительное напряжение, то потенциальный барьер p - n - перехода снижается и через него начинает протекать ток, вызванный движением дырок, от эмиттера к базе. Вследствие малой толщины базы и под влиянием разности потенциалов между базой и коллектором эти дырки диффундируют к коллектору. [24]
Если рассматривать р - га - р-транзистор, через эмиттерный переход П слева направо имеет место диффузия основных носителей - дырок. Справа налево проходит через тот же переход диффузионный ток основных носителей базы - электронов. Одновременно неосновные носители ( дырки в га-слое и электроны в р-слое), ускоряемые возникшим электрическим полем р - га-пере-хода, создают так называемые дрейфовые токи: дырочный, проходящий из слоя га в слой р, и электронный - из слоя р в слой га. Направления дрейфовых токов соответственно противоположны направлениям токов диффузионных. [25]
Если рассматривать р - п - р-транзистор, через змиттерный переход П слева направо имеет место диффузия основных носителей - дырок. Справа налево проходит через тот же переход диффузионный ток основных носителей базы - электронов. Направления дрейфовых токов соответственно противоположны направлениям токов диффузионных. [26]
При этом ширина запирающего слоя / обр увеличивается, потенциальный барьер повышается ( рис. 33, б), диффузия основных носителей через переход уменьшается, а затем вовсе прекращается. Дрейф неосновных носителей, ускоряющихся в суммарном поле контактной разности потенциалов и внешнего источника напряжения, создает обратный ток р - n перехода. [27]
При малой величине Ез6 результирующее поле эмиттерного перехода сохраняет направление поля барьера и вместо дрейфа через эмиттерный переход будет происходить диффузия основных носителей зарядов. Однако физическая сущность процессов, происходящих в транзисторе, от этого почти не изменяется, поэтому в формуле (3.6) не указано, диффузионными или дрейфовыми являются электронная и дырочная составляющие тока через эмиттерный переход. [28]
Вследствие наличия на границе градиента концентрации электронов, направленного из р-области в - область, и градиента дырок, направленного из - области в р-об-ласть, происходит диффузия основных носителей через пограничный слой. В результате этого процесса происходит усиленная рекомбинация электронов и дырок, пограничный слой оказывается обедненным носителями тока и имеет сопротивление значительно большее, чем сопротивление остальной части системы. Он называется запирающим слоем. [29]
Если к полупроводниковому вентилю приложить внешнее электрическое поле, направленное от слояр к слою п, как это показано стрелкой на рис. 18 - 55 в, то под действием этого поля диффузия основных носителей зарядов - дырок из слоя р и электронов из слоя п - сильно возрастет, сопротивление p - n - перехода резко снизится и через переход пойдет значительный прямой ток. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5