Cтраница 2
Точечные дефекты могут объединяться несколькими различными путями. Две или большее число вакансий могут объединиться вместе, образуя парные или групповые вакансии. Группы вакансий называются также агрегированными вакансиями или конденсированными вакансиями. Такие группы вакансий могут образовывать либо сферические поры, либо плоские круговые полости. [16]
Физическая картина самоуплотнения брикета при спекании: при прогреве брикета слой окиси на поверхности зерен порошка разрывается и в точках их контакта образуются связующие перемычки, что приводит к образованию цилиндрических пор в местах схождения границ соседних зерен. Вследствие малого радиуса кривизны поверхности пор возрастание концентрации вакансий кобальта наиболее вероятно на этой поверхности. Поры действуют как источники вакансий кобальта; а плоские границы зерен как их сток. Устанавливается обменная диффузия: атом кобальта - вакансия кобальта и атом самария - группа вакансий кобальта между границами зерен и поверхностью пор. [17]
Чтобы оценить степень искаженности решетки, вызванной дислокацией, следует сравнить несовершенный кристалл, содержащий дислокацию, с совершенным кристаллом. Для этого строят контур Бюргерса, представляющий собой замкнутый контур произвольной формы, условно выделенный в реальном кристалле путем последовательного обхода дефекта от атома к атому в совершенной области кристалла. Квадрат вектора Бюргерса характеризует энергию дислокаций и силы их взаимодействия. Винтовая дислокация, так же, как и краевая, образуется в процессе кристаллизации сталей при захлопывании группы вакансий, а также при пластической деформации, фазовых превращениях и деформационном старении. [18]
Это, очевидно, имеет место для других типов центров окрашивания с захваченными электронами. Например, если кристалл, уже содержащий / - центры, облучить светом, в / - полосе появляется широкая полоса в красной области. Эта новая полоса называется / - полосой. Было показано экспериментально, что под действием каждого случайного кванта излучения исчезают два / - центра, поэтому полагают, что квант ионизирует / - центр и высвобождающийся электрон блуждает по кристаллу до тех пор, пока его не захватит другой / - центр. Такая анионная вакансия с двумя захваченными электронами называется F - центром. Центры являются долгоживущими только при низких температурах. Другие центры в кристаллах галогенидов щелочных металлов, которые, как полагают, вызывают видимые абсорбционные полосы, называют В центрами, если каждый из них имеет один электрон на две анионные вакансии; R - центрами, если он имеет два электрона на две анионные вакансии, и М - центра-лш, если один электрон приходится на две анионные вакансии и одну катионную вакансию. Эти группы вакансий тесно связаны друг с другом. [19]