Cтраница 1
Гудден и Поль связывали вторичный фототек с электролитическими процессами. [1]
Гудден и его сотрудники не считали, что увеличение электропроводности может быть обусловлено действием сильных полей, а приписывали это явление наличию непроводящих слоев. [2]
Гуддена о максимумах и минимумах помещено во втором латинском издании Геометрии Декарта, выпущенном в 1659 - 1661 гг. Скаутеном. [3]
Гудден и его сотрудники не считали, что увеличение электропроводности может быть обусловлено действием сильных полей, а приписывали это явление наличию непроводящих слоев. [4]
В опытах Гуддена и Поля было показано, что зависимость от времени количества электричества, прошедшего через кристалл цинковой обманки ZnS при его освещении, линейна лишь при малых временах освещения. При более продолжительном освещении количество протекшего через кристалл заряда начинает расти со временем быстрее. Отсюда было сделано заключение о том, что в результате накопления каких-то изменений в кристалле, связанных с прохождением фототока, происходит общее возрастание темповой проводимости кристалла. Часть тока, связанная с этой возрастающей со временем проводимостью, была названа Гудденом и Полем вторичным фототоком. [5]
Уже в 1896 г. Гудден, а затем В. М. Бехтерев [1907] указали на роль, которую играют в нарушениях памяти мамиллярные тела. Этот факт был подтвержден дальнейшими исследованиями, положившими начало точному неврологическому анализу первичных нарушений памяти, возникающих при глубинных поражениях мозга. [6]
Итак, согласно определению Гуддена и Поля, вторичный фототек Js возрастает со временем. [7]
В ранних исследованиях фотопроводимости ( Гудден, Поль, Тарта-ковский и др.), произведенных по схеме рис. 543, а, ставилась задача определения квантового выхода внутреннего фотоэффекта ( фотопроводимости) и для этой цели схема, в которой устранялась возможность возникновения вторичных фототоков, вполне подходила. Для практического использования фотопроводимости желательны, однако, возможно большие фототоки, относящиеся к категории вторичных токов. [8]
Исследуя внутренний фотоэффект в изолирующих кристаллах, Гудден и Поль [1] обнаружили, что фототек в этих кристаллах возрастает во времени от некоторого постоянного начального значения. [9]
Начиная с 20 - х годов Поль и Гудден приступили к систематическому исследованию фототоков, возникающих в изолирующих кристаллах. [10]
Имеется в виду случай т gr 0, осуществлявшийся в опытах Гуддена и Поля. [11]
Если отождествлять вторичный фототек 1) со сквозным, то, поскольку у Гуддена и Поля при переходе от первичного ко вторичному фототоку имеет место возрастание тока, текущего через кристалл, сквозной фототек также должен превышать первичный. [12]
В английском переводе первой части Лекций 1728 г. это место сопровождается следующим примечанием: Здесь наш автор ссылается на метод Гуддена нахождения максимумов и минимумов, опубликованный в 1659 г. в Геометрии Декарта. [13]
Прекрасный обзор этих ранних работ [4], включающий также весьма обширную библиографию из 350 наименований, был составлен Ларк-Горовицем. Этот период широко освещен также в появившихся до этого обзорах Гуддена [5], где подробно обсуждены проблемы определения полупроводников. [14]
Обстоятельства сложились так, что эта терминология, предложенная Гудденом и Полем еще в начале 20 - х годов на основании чрезвычайно плодотворных и важных исследований фотоэлектрических свойств отдельных изолирующих веществ, была в дальнейшем механически распространена на все фотоэлектрические явления в любых веществах. Понятия о первичном и вторичном фототоках, чисто феноменологическое определение которых дано в работах Гуддена и Поля, приводятся в учебниках в качестве универсальных и широко используются при описании новых фактов, в том числе и обнаруживаемых при исследовании электронных полупроводников, для которых, например, понятие о вторичном фототоке, как будет показано, вообще лишено какого-либо смысла. [15]