Давление - пар - иод
Cтраница 2
Если при поисковых исследованиях не хватает термодинамических данных, то можно исходить из того, что, как показывает опыт, переносу обычно способствуют более высокие температуры и давления паров иода, а также из того, что величина А7 должна быть довольно значительной. При этом для первых прикидок можно рекомендовать следующие условия: Т 1000 С ( заведомо ниже температуры размягчения кварца), а концентрация 12 - - 5 мг на 1 см3 объема ампулы. Соответствующее давление паров z значительно меньше 3 атм, так что кварц его легко выдержит. [16]
Для тран спорта служили кварцевые ампулы, в которые помещал ] несколько граммов сульфида; в качестве транспорта рующего агента добавляли иод из расчета 5 - 6 мг н 1 еж3 объема ампулы, что соответствует начальном давлению паров иода около 2 ат. Продолжительност выращивания кристаллов составляла 12 - 40 час. [17]
 |
Изменение скорости роста GaAs в зависимости от давления паров иода 1000 С. [18] |
С повышением pi2 скорость роста возрастает, причем одновременно увеличивается разница в скоростях осаждения на гранях ( 111) и ( 111) GaAs. Количество перенесенного GaAs растет пропорционально давлению пара иода. [19]
После запаивания в высоком вакууме ампулу закрепляют в горизонтальном положении; часть ампулы - с Nbls нагревают до 270 С. EDO можно очистить путем сублимации, поддерживая указанное выше давление паров иода. [20]
С повышением общего давления парциальное давление пара тетраиодида циркония быстро растет, давление же иода изменяется мало. При температуре нити 1600 К и общем давлении 5 4 мм рт. ст. давление пара тетраиодида становится равным давлению паров иода. Давление паров ZrI4 2 7 мм рт. ст. над твердым тетраиодидом достигается при 282 С. Следовательно, в зоне образования ZrI4 ( у стенок аппарата) должна поддерживаться такая температура. Эти условия соответствуют оптимальным, найденным экспериментально. Другой температуре нити должно соответствовать и другое общее давление. [21]
С повышением общего давления парциальное давление пара ZrI4 быстро растет, давление же иода меняется мало. При температуре нити 1600 К и общем давлении 5 4 мм рт. ст. давление пара ZrI4 становится равным давлению паров иода. Давление паров ZrI4 2 7 мм рт. ст. над твердым тетраиодидом достигается при 282 С. Следовательно, в зоне образования ZrI4 должна поддерживаться такая температура. Эти условия соответствуют оптимальным, найденным экспериментально. Другой температуре нити должно соответствовать и другое общее давление. [22]
 |
Коэффициент распределения иода между газовой Ьазой и водным раствором Ы при 18 - 20. [23] |
Извлечение иода из природных вод десорбцией воздухом позволяет получать йодистые соли, минуя стадию получения иода. При взаимодействии 12 с растворами, содержащими 1 -, образуются полииодиды - 1з, Is, в результате чего давление пара иода над раствором резко понижается ( ср. [24]
 |
Коэффициент распределения иода между газовой фазой и водным раство -. ром HI при 18 - 20. [25] |
Извлечение иода из природных вод десорбцией воздухом позволяет получать йодистые соли, минуя стадию получения иода. При взаимодействии Ь с растворами, содержащими 1 -, образуются, полииодиды - 1з, Is, в результате чего давление пара иода над раствором резко понижается ( ср. [26]
Первая гипотеза требует, невидимому, наличия пор более широких, чем имеется в действительности, так как йодистое серебро ведет себя оптически как однофазная система. Во всяком случае, такой механизм влечет за собой высокий температурный коэфициент; в случаях, где процесс идет по уравнению ( 9), скорость диффузии должна быть приблизительно пропорциональна давлению паров иода раствора, а последнее резко возрастает вместе с температурой, так как оно зависит от соотношения молекул, обладающих достаточной энергией, чтобы вырваться из жидкой фазы. В действительности температурный коэфициент значительно ниже того, чтобы допустить гипотезу испарения свободных молекул. Было поэтому сделано заключение, что передвижение молекул состоит в проходе через каналы с диаметром, равным сумме диаметров нескольких молекул ( что и должно объяснять низкий температурный коэфициент, если существует сродство между йодистым серебром и иодом, как это в действительности и имеет место); процесс этот по своему характеру - промежуточный между газовой диффузией и диффузией в твердом растворе. [27]
Кроме возможной дезактивации иодом долгоживущих возбужденных молекул перед исследователем, использующим иод в качестве ингибитора, возникают и другие проблемы. Исследования с иодом в качестве ингибитора ограничены очень узким температурным интервалом ( 50 - 175), так как при высоких температурах могут протекать термические реакции между иодом и многими соединениями, а давления паров иода ( 2 мм рт. ст. при 50) недостаточно при более низких температурах для улавливания радикалов за время опыта. При фотолизе смесей альдегида с иодом необходимо удалять следы воды, полимеров или других нежелательных примесей, иначе на стенках сосуда возможна быстрая термическая реакция между иодом и альдегидом. Очевидно, что жидкая ртуть, а также ее пары должны быть исключены из реакционной системы. [28]
При давлении паров иода, соответствующем насыщению при 0 С, и при малой амплитуде колебаний потенциала наблюдалось слабое желтоватое свечение, простиравшееся от одного конца трубки до другого. [29]
Этот процесс проводят в запаянной ампуле, где находятся подложка, источник ( поликристаллический кремний) и транспортер - кристаллический иод. Пары иода взаимодействуют с кремнием, образуя летучее соединение, транспортирующее кремний от источника к подложке. Характер химических процессов в системе зависит от давления пара иода. [30]
Страницы: 1 2 3