Давление - пар - мышьяк
Cтраница 1
Давление паров мышьяка над расплавом стехиометрического состава, равное 0 976 ат, относительно высокая температура плавления GaAs и взаимодействие галлия с кварцем или графитом являются теми факторами, которые значительно усложняют технологию получения монокристаллов высокого качества. Для получения монокристаллов GaAs осуществляют выращивание монокристаллов из расплавов стехиометрического состава методами Бриджмена, Чохральского и бестигельной зонной плавки, выращивание монокристаллов из растворов-расплавов, содержащих избыток галлия, процессы переноса в паровой фазе. [1]
 |
Давление пара твердого мышьяка по данным работы. [2] |
В работе [279] для определения давления пара мышьяка был применен статический метод с определением давления кварцевым спиральным манометром ( см. рис. 11) компенсационным методом. Метод позволяет вычислить по давлению, объему и температуре пара массу молекул. [3]
Данные авторов, выполнявших измерение давления пара мышьяка статическим методом при высоких давлениях, удовлетворительно согласуются друг с другом и заслуживают доверия. [4]
Согласно [9] и [45, 46] при температуре плавления этого соединения давление паров мышьяка над ним составляет 0 25 и 0 3 атм соответственно. [5]
В работах [77, 452] была сделана попытка применить для измерения давления пара мышьяка вариант аффузнонного метода, описанный на стр. [6]
 |
Кривые давления паров ком-понентов паровой фазы, находящейся в равновесии с растворами мышьяка в гал-лии. [7] |
При проведении всех технологических операций необходимо знать температурную зависимость давления паров мышьяка над жидкими растворами галлий - мышьяк. [8]
На основании вышесказанного можно заключить, что данные Устюгова соответствуют в основном давлению паров мышьяка. [9]
Условиями получения однородных диффузионных р-п переходоа являются: высокое качество подложки за счет выбора кристалла с низкими плотностями дислокаций; повышение давления паров мышьяка и фосфора над подложкой во время диффузии применением полностью испаряющегося источника диффузии, например ZnAsz или ZnP2 в запаянной ампуле. [10]
Различными авторами [3, 4] показано, что амфотерное поведение кремния и германия в GaAs зависит от числа вакансий на местах Ga и As и его можно контролировать изменением давления паров мышьяка в процессе выращивания кристаллов. [11]
В качестве источника донорной примеси применяется германий, легированный мышьяком, который помещают в молибденовую капсулу вместе с заготовленными пластинками. Давление паров мышьяка уменьшается при этом примерно до 10 - 4 мм рт. ст. Использование германия в качестве растворителя мышьяка устраняет опасность загрязнения мышьяка и позволяет судить о содержании его в источнике по измерению проводимости. Концентрация мышьяка в кристалле - источнике примеси - обычно составляет 1017 - 1019 см-3, что значительно выше, чем концентрация в диффузионном слое, так как в процессе диффузии необходимо компенсировать потери мышьяка из-за несовершенной подгонки крышки капсулы и возможных химических реакций. [12]
 |
Схема аппарата с магнитным приводом для выращивания монокристаллов по методу Чохраль-ского. [13] |
Синтезируют арсенид галлия обычно непосредственно из элементов, пользуясь вышеописанным двухзонным или трехзонным методом. В последнем случае в холодной зоне, контролирующей давление пара мышьяка, поддерживается температура 605 ( с точностью 0 5 град), что обеспечивает давление около 0 9 атм. [14]
 |
Распределение цинка в арсениде галлия для различного времени диффузии при температуре 1030 К. [15] |
Страницы: 1 2