Давление - пар - селен
Cтраница 1
 |
Электрохимическая камера Кнудсена. [1] |
Давление пара селена и серы над чистыми соединениями Ag2Se и Ag2S при температурах до 400 С пренебрежимо мало. [2]
Следует отметить, что при этом давление пара селена ( см. гл. I) на 2 - 3 порядка ниже давления, измеренного в работе [145], поэтому такой вывод вполне разумен и лишний раз доказывает неустойчивость Т125е3 при нагревании. [3]
Метод точек кипения был использован также для определения давлений пара селена в 1952 г. [490] в следующем варианте. [4]
Следует упомянуть раннюю работу 1493 ], в которой было произведено измерение давления пара селена при двух температурах методом струи. [5]
До 1963 г. не производилось прямых измерений состава пара селена методами масс-спектрометрии, поэтому в монографии Несмеянова [ 851 при расчете таблицы давления пара селена принимался простейший состав пара ( Se, Se6) и обрабатывались данные ранних работ [80, 82, 86 ] как наиболее надежных. Как будет показано ниже, эти данные не соответствуют истине в отношении состава пара и поэтому не должны использоваться в расчетах; ценность сохраняют лишь данные, которые относятся к общему давлению пара. [6]
Испарение селена происходит в виде смеси двух - и шестиатомных молекул, причем доля двухатомных молекул увеличивается при повышении температуры. Температурная зависимость давления паров селена представлена на рис. 10.11. Пары селена парамагнитны и окрашены в желтый цвет. [7]
Пусть взаимодействуют CdSt у [ ] у - - a CdSet I ] y, образуя твердый раствор Cd wSea ( 1, [ ]; a. Нагревая сульфид кадмия под тем или иным давлением паров селена, можно ввести в сульфид немного селена и тоже прийти к сульфоселениду: CdSj у [ 1, - - zSe CdSj ySe2 [ 1г / г. Если концентрация селена много меньше, чем серы, его можно рассматривать как примесь. [8]
Главная трудность этого метода выращивания кристаллов заключается в том, что при охлаждении и извлечении кристаллов из тигля в кристаллах возникают очень сильные внутренние напряжения. Монокристаллы PbSe выращивают также из парообразной фазы, причем, регулируя давление паров селена 1), можно управлять составом вещества. Такие кристаллы превосходят кристаллы, полученные методом Бриджмена, как в отношении чистоты, так и степени совершенства структуры кристалла. Очистка этих веществ от чужеродных атомов представляет собой, как известно, весьма нелегкое дело, однако основная трудность состоит в другом: при производстве монокристаллов этих веществ очень трудно добиться точного стехиометрического соотношения между компонентами, необходимого для получения монокристаллов, обладающих при комнатной температуре почти собственной проводимостью, поскольку избыток одного из компонентов приводит к увеличению концентрации доноров или акцепторов с очень малой энергией активации. Это очевидно из того, что вплоть до очень низких температур величина коэффициента Холла в примесной области остается неизменной. [9]
Они имеют большой разброс, но некоторые точки хорошо согласуются с данными, полученными с помощью кварцевого манометра. Эти точки должны быть приняты во внимание при общей обработке данных по давлению пара селена. [10]
Плавится без разложения при 330 С при небольшом ( - 1 мм рт. ст.) давлении пара селена над расплавом. Соединение довольно легко можно получить сплавлением таллия и селена в стехиометрических количествах в запаянных под вакуумом ампулах, наполненных водородом или аргоном после откачки воздуха. TISe - устойчивое на воздухе и в воде соединение, растворимое на холоду в минеральных кислотах. [11]
Плавится без разложения при 330 С при небольшом ( - I мм рт. ст.) давлении пара селена над расплавом. Соединение довольно легко можно получить сплавлением таллия и селена в стехиометрических количествах в запаянных под вакуумом ампулах, наполненных водородом или аргоном после откачки воздуха. TISe - устойчивое на воздухе и в воде соединение, растворимое на холоду в минеральных кислотах. [12]
Селен сначала проходил через 1 - ю печь и конденсировался при 310 С на стыке печей. Из зоны 310 С через зону 400 С он медленно проходил через 2 - ю печь и конденсировался на выходе при комнатной температуре. Давление паров селена определить затруднительно, при 410 С - около 1 мм рт. ст., при 310 С - около 0 25 мм рт. ст., а при комнатной - около 10 - u мм рт. ст. Можно только констатировать, что пары селена в течение всего процесса выращивания присутствовали, однако роль их пока неясна. [13]
Молекулярный состав насыщенного пара селена сложен и был уточнен только в самое последнее время. Поэтому все определения давления пара селена целесообразно разбить на три группы: работы, в которых измерялось истинное давление пара абсолютными методами; работы, использующие эффузионные методики в сочетании с предполагаемым составом пара и, наконец, масс-спектрометрические работы по прямому определению состава пара селена. [14]
Двойные системы В - S и В - Se не исследованы, а соединения бора с теллуром до сих пор никто не получил. Сульфидные системы алюминия, галлия и индия изучены лишь в пределах концентраций 0 - 60 ат. S, так как изучение составов с большим ее содержанием представляет значительные трудности из-за высокого давления пара серы при температурах синтеза. Давления паров селена и теллура при температурах синтеза селенидов ителлуридов элементов III Б подгруппы невысоки, что позволило осуществить синтез всех соединений этих халькогенидов методами, применяемыми для получения неорганических полупроводниковых веществ, содержащих легко летучие компоненты. [15]
Страницы: 1