Давление - фосфор
Cтраница 1
Давление фосфора не зависит от количества йода и цинка и определяется давлением диссоциации фосфида. В таблице представлены давления паров различных компонентов газовой фазы полученные на основании констант равновесия рассчитанных по литературным данным. В температурном градиенте GaP не может транспортироваться за счет взаимодействия с GaJs, так как последний выше 700 С практически отсутствует. [1]
В равновесных условиях давление фосфора определяется отношением Кр, равно давлению диссоциации GaP и не зависит от давления воды. [2]
Экспериментально при комнатной температуре и давлении фосфора 2 5 10 - 2 мм. [3]
Изучены условия кристаллизации дифосфида цинка в широком температурном интервале под давлением фосфора. Приведен рентгеноструктурный и химический анализы монокристаллов ZnP2 черной модификации. [4]
 |
Влияние аргона на нижний предел i ( по данным 41. [5] |
При изменении температуры в интервале от 17 до 50 С ( давление фосфора при этом оставалось неизменным) [ 021а практически оставалось одним и тем же. Таким образом, если между [ 02li и Г и существует зависимость, то она очень слабо выражена. [6]
Изменяя Т, можно было найти связь между [02] 2 и давлением фосфора. [7]
 |
Схема распределения температуры вдоль ампулы при получении p - ZnP3 из расплава. [8] |
При давлениях до 30 атм наряду с черной модификацией ZnP2 образуется также нормальный фосфид цинка Zn3P2, количество которого уменьшается с увеличением давления фосфора. В этом интервале давлений происходит заметная возгонка полученной смеси соединений. [9]
В данной работе рассмотрены условия кристаллизации дифссфида цинка как из расплава, так и из газовой фазы в широком интервале температур ( 640 - 1050 С) и давлений фосфора 0 1 - 52 атм. [10]
Несмотря на то, что соотношение nGa пР справедливо при любой температуре ( здесь не рассматривается случай с очень малыми концентрациями йода и высокими температурами, когда давление диссоциации фосфида галлия превышает давление фосфора), кристаллизация идет при избыточном давлении фосфора. Выделение GaP из газовой фазы возможно только в результате реакции монойодида галлия с фосфором. [11]
В настоящее время фосфид индия чаще всего получают из расплава, содержащего на несколько процентов больше индия, чем требует стехиометрическое отнршение. При этом давление фосфора над расплавом в соответствии с диаграммой состояния падает до величин, безопасных при обычной прочности кварцевой аппаратуры. [12]
В настоящее время фосфид индия чаще всего получают из расплава, содержащего на несколько процентов больше индия, чем требует стехиометрическое отношение. При этом давление фосфора над расплавом в соответствии с диаграммой состояния падает до величин, безопасных при обычной прочности кварцевой аппаратуры. [13]
Цель промышленного назначения первой стадии производства-окисления фосфора-получение фосфорного ангидрида с минимальным содержанием недоокисленного фосфора и низших окислов. Условия проведения процесса в промышленных аппаратах ( диаметр аппарата, давления фосфора и кислорода) практически всегда лежат в области воспламенения фосфора и крайне далеко отстоят от граничных параметров. Следовательно, степень, окисления фосфора в промышленных условиях определяется не кинетикой цепной реакции, а факторами, обуславливающими нормальное горение фосфора, к рассмотрению которых мы и переходим. [14]
Печь выводят на режим. Для построения участка линии трехфазного равновесия системы Си - Р задают давление фосфора в интервале 0 3 - 18 атм. В этом режиме систему выдерживают до установления равновесия расплава с паром летучего компонента. [15]
Страницы: 1