Высокое равновесное давление

Cтраница 1

Высокое равновесное давление СО над смесью РЬО и С обеспечивает полное протекание реакции при атмосферном давлении практически при любых содержаниях СО в газовой фазе. Восстановление СггОз не будет происходить, пока оксид свинца не восстановится нацело, так как выделяемый при восстановлении РЬО оксид углерода смещает равновесие восстановления Сг Оз в сторону исходных веществ. Однако после полного восстановления РЬО хром можно восстановить в вакууме, чтобы обеспечить содержание СО в газовой фазе ниже 2 3 - 10 - 5 атм. [1]

Высокое равновесное давление СО над смесью РЬО и С обеспечивает полное протекание реакции при атмосферном давлении практически при любых содержаниях СО в газовой фазе. Восстановление Сг2Оз не будет происходить, пока оксид свинца не восстановится нацело, так как выделяемый при восстановлении РЬО оксид углерода смещает равновесие восстановления Сг2О3 в сторону исходных веществ. Однако после полного восстановления РЬО хром можно восстановить в вакууме, чтобы обеспечить содержание СО в газовой фазе ниже 2 3 - 10 - 5 атм. [2]

При высоких равновесных давлениях ( концентрациях) адсорбтива уравнение Фрейндлиха дает неверные результаты. [3]

Особенностью этой системы является высокое равновесное давление диссоциации, превышающее 0 1 МПа при температурах существенно ниже 270 К. Эта система может работать как источник водорода, даже при температурах до 240 К и при этой температуре тепло, необходимое для диссоциации гидрида, будет подводиться из окружающего пространства. [4]

С [2, 5] или при высоком равновесном давлении паров серы при - 2400 С [2], имеет узкий интервал гомогенности 66 1 - 66 7 % ( ат. Предполагается наличие другой области несмешиваемости в жидком состоянии в сплавах с содержанием S 80 % ( ат. Взаимная растворимость W и S практически отсутствует. [5]

Интервал изменения цвета силикагеля значительно сдвинут в па-иратешш к более высоким равновесным давлениям паров воды. [6]

Из девяти соединений типа AHIBV синтез и выращивание монокристаллов ГпР представляет наибольшую трудность вследствие высокого равновесного давления пара при температуре плавления. Равновесное давление пара при температуре плавления 1пР равно 25 атм. [7]

Из газовой фазы удобно выращивать кристаллы фосфидов, поскольку при этом отпадает необходимость в поддержании высоких равновесных давлений при температуре плавления Выбор методов выращивания для соединений AInBv определяется тем, нужны ли тонкие пленки или массивные кристаллы, а также требуемыми электрическими свойствами. От методики выращивания могут очень сильно зависеть электронные характеристики кристаллов. В особенности это относится к электролюминесцентным свойствам. Вообще здесь можно исходить из того, что в однокомпонентной системе образуются более чистые кристаллы, а выращивание в многокомпонентных системах дает преимущество низких температур. Но в действительности обычно не удается детально объяснить, почему, например, фосфид галлия, выращенный из раствора, обладает лучшими электролюминесцентными свойствами, нежели полученный другими способами. [8]

Повторная заправка гидридного элемента непосредственно после его разрядки практически невозможна при давлениях ниже 5 0 МПа вследствие высокого равновесного давления диссоциации гидрида при температуре около 100 С. Для повторной заправки гидрид должен быть охлажден до температуры 15 - 20 СС. [9]

В результате несовершенства применяемого уравнения - кривой значения г, вычисляемые по методам II и JII, значительно отличаются от значений г, определяемых по методу I при высоких равновесных давлениях, в особенности для адсорбционной системы бензол-силикагель. Заметим, что различие в значениях г, вычисленных по методам II и III при высоких p / ps несущественное. [10]

Использование химических транспортных реакций для наращивания монокристальных пленок соединений AniBv получило широкое применение по той причине, что почти все другие способы их выращивания сопряжены с большими трудностями вследствие тугоплавкости этих соединений, химической активности составляющих их элементов и самого расплава, а также высокого равновесного давления паров элементов пятой группы. Все эти трудности можно преодолеть, сочетая газотранспортные реакции переноса и эпитаксиальную кристаллизацию. В этом случае соединения кристаллизуются при температурах заметно ниже точки плавления, позволяя избежать избирательного реиспаре-ния компонентов. [11]

Если равновесная упругость разложения при данной температуре мала, то нужно выбрать другую температуру, при которой легче уйти от равновесия. Так как разложение - процесс эндотермический, то более высокое равновесное давление С02 достигается повышением температуры. [12]

Согласно этому уравнению, при h 1 образуется не больше двух монослоев. Поэтому, в отличие от уравнения ( 4), оно приводит к значительно заниженным величинам адсорбции при высоких равновесных давлениях по сравнению с экспериментальными величинами адсорбции. В зависимости от величины константы с уравнения ( 4), вычисляемые по ( 7) емкости монослоев, на 2 - 20 % больше определяемых по уравнению БЭТ. Только в отдельных случаях плохой применимости уравнения ( 4) уравнение ( 7) позволяет приближенно оценить величины ат. [13]

Обычный вид изотерм адсорбции при различных температурах. / - изотерма, отвечающая температуре 7Y, 2 - изотерма, отвечающая температуре Г2 ( ЛГ2. [15]

Страницы: 1 2