Cтраница 3
Один из них заключается в накоплении заряда в потенциальной яме входного прибора за счет процессов термогенерации. Однако при этом быстродействие оказывается достаточно низким, так как время накопления заряда составляет десятки микросекунд. Другой способ, при котором скорость записи достигает единиц наносекунд, основан на инжекции дырок из р-области. При третьем способе происходит накопление заряда неосновных носителей под воздействием светового импульса. Считывание может осуществляться путем инжекции заряда в подложку и регистрации тока подложки, а также путем использования плавающего затвора, потенциал которого изменяется в зависимости от значения заряда. [31]
Один из них заключается в накоплении заряда в потенциальной яме входного прибора за счет процессов термогенерации. Однако при этом быстродействие оказывается достаточно низким, так как время накопления заряда составляет десятки микросекунд. Другой способ, при котором скорость записи достигает единиц наносекунд, основан на инжекции дырок из р-области. При третьем способе происходит накопление заряда неосновных носителей под воздействием светового импульса. Считывание может осуществляться путем инжекции заряда в подложку и регистрации тока подложки, а также путем использования плавающего затвора, потенциал которого изменяется в зависимости от величины заряда. [32]