Дамен

Cтраница 2

Увеличение поперечного сечения рамановского рассеяния для разрешенного ТО и запрещенного LO рассеяния в CdS вблизи резонанса с экситоном, имеющим наименьшую энергию. Т 6 К. Сплошные кривые - вычисления в предположении, что В-экситон в CdS является единственным промежуточным состоянием. На вставке приведена зависимость квадрата матричного элемента ( ls. / Fx ls 2 от q для экситон - LO фононного взаимодействия ( ре 0 4 и j. h 0 6 ( ( а. [16]

Зависимость матричного элемента в (7.70) от волнового вектора оказывает большое влияние на рамановские правила отбора для рассеяния на LO фононе в тех случаях, когда экситоны являются резонансными промежуточными состояниями. Оно позволяет на основании одних только свойств симметрии кристалла найти ненулевые и линейно независимые элементы рамановского тензора И. Нарушение в случае резонанса с экситонами рамановских правил отбора для LO фонона, ранее полученных Лоудоном, наблюдалось Мартином и Даменом [7.104] в CdS и было названо запрещенным рассеянием. [17]

Страницы: 1 2