Дарлингтона

Cтраница 1

Высоковольтный стабилизатор с оптронной изоляцией. [1]

Дарлингтона), смонтированных рядом в непрозрачном корпусе. Прохождение тока через диод приводит транзистор в проводящее состояние аналогично появлению тока базы. Как и для обычного транзистора, для выведения фототранзистора в активный режим к коллектору прикладывается напряжение. Во многих случаях даже не делают отдельного вывода базы. Оптрон-ные пары, как правило, имеют достаточно хорошую изоляцию, чтобы выдержать напряжение в несколько тысяч вольт между входом и выходом. На рис. 5.37 показано несколько способов использования оптронных пар в высоковольтных источниках питания. В первой схеме фототранзистор Г2 запирает проходной транзистор Г3 при слишком большом подъеме выходного напряжения. Во втором варианте, для которого изображена только часть схемы с проходным транзистором, фототранзистор, будучи возбужден, увеличивает выходной ток, поэтому входы усилителя ошибки должны быть инвертированы. [2]

Схемы управления нагрузкой с выходов логических элементов на л-ка-нальных МОП-транзисторах. [3]

Дарлингтона с заземленным эмиттером. Но не следует подобным образом поступать с высоковольтными п-ка-нальными МОП-элементами, которые будут описаны в следующем разделе. Выход типового низковольтного МОП-элемента с каналом n - типа может отдавать ток величиной 2 мА в базу схемы Дарлингтона при напряжении 1 5 В, обеспечивая для ИМС до 250 мА типа сшестеренной схемы Дарлингтона 75492 нагрузочную способность по току до 250 мА при напряжении 1 В. [4]

Дарлингтона ( см. § 3 - 2), при этом количество транзисторов и коэффициент усиления подбираются таким образом, чтобы не допустить перегрузку регулирующего усилителя. [5]

Дарлингтона) на входе, с внутренней частотной коррекцией. Выполнена на планарно-зли-таксиальной технологии с изоляцией р-п переходом, имеет выводы для балансировки. [6]

Схемы составных транзисторов. [7]

Дарлингтона; б - на комплементарных транзисторах ( с дополнительной симметрией) не - каскодиая. [8]

Дарлингтона) на входе, с внутренней частотной коррекцией. Выполнена на планарно-эпи-таксиальной технологии с изоляцией р-п переходом, имеет выводы для балансировки. [9]

Дарлингтона, работающем в режиме накопления заряда. [10]

Измерение тока в возвратной цепи. [11]

Дарлингтона для минимизации ошибки. Обратите внимание на то, что вместо / - канального транзистора можно использовать и-канальный выходной транзистор ( подключенный как повторитель), если поменять подключение на входе операционного усилителя. Однако в этом случае источник тока будет иметь нежелательно низкий выходной импеданс на частотах, близких к частоте fT контура операционного усилителя, поскольку выход является по-существу истоковым повторителем. При проектировании источников тока часто допускают подобную ошибку, так как анализ по постоянному току показывает хорошие параметры. [12]

Принципиальная схема базового элемента ТТЛ повышенного быстродействия. [13]

Дарлингтона) обладает меньшим выходным сопротивлением, что способствует быстродействию. [14]

Дарлингтона, но ток / ст, протекающий через стабилитрон, должен лежать в пределах допустимого диапазона. [15]

Страницы: 1 2