Cтраница 2
Резистор 3 при отключенном фотореле предотвращает короткое замыкание в цепи выпрямленного тока, а при включенном обеспечивает цепь заряда конденсатора С и создает некоторую инерционность срабатывания фотореле, что предотвращает кратковременное отключение наружного освещения при вспышке молнии ночью. Засветки от проходящего мимо транспорта и другие не оказывают влияния на работу фотореле, так как светочувствительная поверхность датчика освещенности фотореле расположена в горизонтальной плоскости и, следовательно, реагирует только на излучение, идущее сверху. [16]
В качестве источника света используется естественное излучение атмосферы в период вечерних сумерек. Датчик освещенности при этом нужно ориентировать в вертикальной плоскости. [17]
Схема состоит из входного моста, электрояиого усилителя и реле, 1вклю - чающего магнитный контактор сети освещения. Датчиками освещенности служат два фотосопротивления типа ФС-К1, включенные в противоположные плечи моста. [18]
Например, фотоаппарат высокого класса Никон FA имеет встроенную микро - ЭВМ на СБИС. Яркость объектов съемки измеряется в 5-ти зонах кадра, а компьютерная логическая обработка данных производится по 3 - м различным задаваемым фотографом программам. Основная программа обрабатывает сигналы 5-ти датчиков освещенности по статистически выведенным закономерностям построения кадра и фотометрическим характеристикам объекта. Эта программа позволяет исключить большую часть ошибок экспонирования, возникающих из-за необычных условий съемки. Вторая программа - вычисление выдержки и диафрагмы с 60 % веса освещенности в центре кадра, где обычно располагается наиболее важная часть объекта съемки. Третья программа работает по замеру света, отраженного пленкой. Этот режим используется для отработки экспозиции или использования автоматических импульсных усилителей. [19]
Штриховая кривая 6 рис. 2.22 делит семейство зависимостей Р / Р0 на две области. В верхней области выполняется равенство тока короткого замыкания IK 3 фототоку. Отношение мощностей Р / Р0 в этом случае равно отношению F / F0, где F - фактор заполнения ВАХ СЭ при данной освещенности, F0 - то же в отсутствие внутренних омических потерь. В соответствующем диапазоне токов данный СЭ может работать как пропорциональный датчик освещенности без обратного смещения. При этом сопротивление измерительной цепи, включая подводящие провода, должно быть учтено как добавочное сосредоточенное сопротивление. Переход к режиму насыщения ( / 3 Г / ф, нижняя область) происходит при значительно больших значениях F в случае чисто распределенных потерь ( кривая 5), чем в случае сосредоточенных. Это является следствием большей выпуклости ВАХ СЭ с распределенными омическими потерями. [20]