Cтраница 1
Датчики магнитного поля, или магнитометрические преобразователи, классифицируются по принципу использования в них того или иного физического явления: магнитомеханические, индукционные, гальваномагнитные, кинетические, квантовые, магнитооптические и др. В инклинометрах наиболее распространены магнитомеханические и индукционные преобразователи. Другие преобразователи, в том числе и гальваномагнитные, к которым относятся широко применяемые в практике магнитных измерений преобразователи на основе эффекта Холла, а также магниторезистивные пока не нашли применения в конструкциях инклинометров и в дальнейшем рассматриваться не будут. [1]
Датчик магнитного поля Виганда состоит из предварительно механически обработанной проволоки из сплава викалой ( 10 % V, 52 % Со и 38 % Fe) диаметром примерно 0 3 мм. Этой проволокой наматывают сигнальную обмотку Nc длиной 15 мм, имеющую примерно 1300 витков. В результате на зажимах катушки появляется импульс напряжения ес длительностью от 15 до 50 мкс и амплитудой до 5 В. [2]
Датчик магнитного поля / кроме ампулы с рабочей жидкостью-и высокочастотной катушки содержит также двухсекционную катушку модуляции, по которой протекает ток низкой частоты. Этот ток создает периодическое изменение поля вблизи резонансного значения. Высокочастотный генератор представляет собой двухкаскадный усилитель, охваченный обратной положительной. [4]
Катушка датчика магнитного поля изготовлена из медного провода диаметра 0 2 мм. Датчик определяет индукцию магнитного поля по заряду, который протекает через катушку, замкнутую на гальванометр, когда ее вносят в магнитное поле так, что ось катушки совпадает с направлением поля. [5]
Рассмотрение только этих двух типов датчиков магнитного поля оправдано тем, что среди всех датчиков данного назначения они наиболее современны, обладают наименьшими габаритами и наибольшей чувствительностью и к тому же не требуют сложных измерительных схем. [6]
Следует также добавить, что феррозонд - наиболее надежный и помехоустойчивый датчик магнитного поля. При малой потребляемой мощности он отличается высоким коэффициентом полезного действия, имеет незначительные габариты и вес, прост в изготовлении. Благодаря отмеченным свойствам и эксплуатационным характеристикам он находит все более широкое применение в различных устройствах измерительной техники и автоматики. [7]
Микросхема представляет собой магнитоуправляемую схему и предназначена для создания датчиков магнитного поля. Имеет один выход с открытым коллектором. Передаточная характеристика входная индукция - выходное напряжение - прямая. Магнитная характеристика по входу - униполярная. [8]
Микросхема представляет собой магнитоуправляемую схему и предназначена для создания датчиков магнитного поля. Имеет один выход с открытым коллектором. Передаточная характеристика входная индукция - выходное напряжение - прямая. Магнитная характеристика по входу - униполярная. [9]
![]() |
Временные диаграммы тока нагрузки / н в реверсивных однополупериодных схемах. [10] |
На этом принципе основаны различные типы магнитных усилителей и датчиков магнитного поля. В данной главе рассматриваются некоторые характерные примеры таких однокаокадных и многокаскадных устройств. [11]
Другая возможная область использования описываемых методов возникает при установке на сканирующем устройстве датчиков магнитного поля, которые также должны быть тщательно согласованы с конструкцией модели. В этом случае они позволяют осуществлять считывание и запись данных с магнитного носителя, начиная от звуковой дорожки флоппи-диска и кончая кредитной карточкой. [12]
Рассмотрение указателей напряжения хочется закончить описанием результатов исследования [39], посвященного возможности индикации напряжения на ЛЭП с помощью датчика магнитного поля. Использование магнитного поля ЛЭП открывает возможность конструирования универсального прибора для определения наличия напряжения на проводах ЛЭП ниже и выше 1000 В. [13]
![]() |
Пояснение принципа действия простейшего магнитного ТТ. [14] |
Магнитный ТТ представляет собою систему из провода высокого напряжения, по которому протекает подлежащий контролю ток / ь и датчика магнитного поля Д ( рис. 49), в магнитном поле контролируемого тока. При этом выходной параметр датчика является функцией магнитного поля контролируемого тока и одновременно функцией самого контролируемого тока. [15]