Cтраница 1
Диодные датчики в простейшем исполнении не находят большого применения. [1]
Сдвоенные диодные датчики, работающие в симметричной мостовой схеме, успешно применяются в электронных микрометрах, обеспечивающих отсчет измеряемых размеров с точностью до 0 1 мк. [2]
![]() |
Принципиальные схемы электронных преобразователей ( механотронов. [3] |
Недостатком диодного датчика является нелинейность его характеристик. [4]
![]() |
Построение статической. [5] |
В рассмотренной схеме диодного датчика температуры выходной величиной является постоянный ток, усиление которого представляет определенные трудности. Конструктивно такой датчик может быть выполнен в виде одного монокристалла с двумя р-п переходами либо в виде двух диодов. [6]
Нелинейность основных характеристик диодных систем сглаживается в сдвоенном диодном датчике, предназначенном для вклю чения в мостовые схемы ( фиг. [7]
На рис. III.9, а изображена принципиальная схема электронного диодного датчика. Накаленный плоский катод 3 неподвижен. [8]
![]() |
Схемы диодного датчика температуры.| Электролитические датчики. [9] |
На рис. 19 - 7 а приведена простейшая схема диодного датчика температуры. Выходной величиной датчика является напряжение [ / вых, выделяемое на нагрузке Ra. А может составлять десятки вольт на градус. [10]
Из выражения ( 145) следует, что рассматриваемые датчики имеют нелинейные характеристики. Диодные датчики имеют малое внутреннее сопротивление и значительный ток при относительно невысоком анодном напряжении. [11]
![]() |
Зависимость вольт-амперной характеристики германиевого диода от температуры ( Гз7 27 1. [12] |
Преимуществом диодных датчиков является высокая чувствительность и малая величина потребляемого тока. [13]
Так как обычно коэффициент заполнения Q значительно меньше единицы, то из приведенного выше выражения следует, что входное сопротивление датчика имеет меньшее значение, чем при измерении непрерывного сигнала. Как уже говорилось, область применения диодных датчиков ограничивается вследствие возрастания частотной погрешности, которая обусловливается резонансным влиянием во входной цепи и влиянием конечного времени пролета электронов между электродами вакуумного диода. [15]