Cтраница 2
В этой главе в основном рассматриваются коррозия, бактерии и отложения; два последних фактора имеют непосредственное влияние на коррозию. Помимо ингибиторов и бактерицидов при вторичной добыче используется еще ряд других добавок. Большинство из них применяется для облегчения прохождения потока через пласт и для предотвращения образования водяного запора. Наибольшее значение имеют, например, добавки, которые изменяют поверхностное натяжение. Вещества, применяемые с этой целью, не рассматриваются в этой книге, так как они представляют самостоятельную проблему. [16]
![]() |
Арматура с обводным вентилем и металлическая прокладка. [17] |
Материал труб и арматуры, а также конструкция арматуры зависят от давления и температуры рабочей среды; эти два последних фактора учитываются так называемым условным давлением. [18]
Деление зданий и сооружений на пожарные отсеки нормируется по двум признакам: по площади этажа в пределах пожарного отсека, при этом для зданий промышленного назначения учитывается категория помещений по взрывопожарной и пожарной опасности, степень огнестойкости здания и допустимое количество этажей, для гражданских зданий учитываются только два последних фактора; по функциональному назначению блоков или частей здания. Например, в зданиях театров зрительский комплекс помещений отделяют от сценического противопожарной стеной. [19]
Конструкция реактора определяется числом витков, силой тока и длительностью непрерывной работы. Два последних фактора определяют сечение провода реактора. Одним из вариантов конструкции является набор концентрических дисковых катушек. От каждого диска делается отвод, что позволяет дискретно регулировать значение индуктивности. [20]
Кроме вида и концентрации пенообразователя, на устойчивость пен влияют также температура ( исследования этого фактора очень немногочисленны), электролиты и вязкость раствора. Два последних фактора не играют большой роли. Так, Барч установил, что прибавление электролитов уменьшает продолжительность жизни пей, стабилизованных низкомономолекулярными пенообразователями, однако пены не теряют полностью своей стабильности. [21]
Выше были перечислены основные факторы, от которых зависят темпы развития науки. Два последних фактора - размеры средств, расходуемых на научные исследования, и численность научных работников - имеют количественное выражение. Очевидно, что в настоящее время темпы развития науки находятся в прямой зависимости от этих двух факторов. Поэтому справедливость закона об ускоренном ( экспоненциальном) развитии науки может быть проверена на статистических данных, характеризующих динамику роста ассигнований на научно-исследовательские работы, а также динамику роста численности научных работников. [22]
Тетрасилаадамантан имеет четыре мостиковых атома кремния, углы которых, являясь тетраэдрическими, жестко закреплены в силу природы самой циклической системы, которая ( в отличие от соединений I и II) полностью свободна от углового и конформационного напряжения. Два последних фактора, как ожидают, придают системе значительную устойчивость и противодействуют отклонению углов мостиковых атомов от их обычных тетраэдрических значений. Таким образом, механизм 5yv2 - Si с обращением конфигурации не может иметь места, а механизм SN2 - Si с сохранением конфигурации затрудняется характером циклической системы. В результате связи Si-Cl в 1 3 5, 7-тетрахлор - 1 3, 5 7-тетрасилаадамантане мало реакционноспособны. [23]
Температура котловой воды определяется рабочими параметрами и конструктивными особенностями котлов, а также видом сжигаемого топлива. Два последних фактора влияют главным образом на локальные тепловые потоки экранной системы. Неравномерность тепловых потоков особенно присуща котлам, работающим на жидком топливе и оборудованным мощными горелочными устройствами. [24]
Изучено влияние четырех производственных факторов: плотности загрузки, гранулометрического состава шихты, температуры простенков и ширины коксовой камеры на давление распирания. Два последних фактора мало или почти совсем не влияют на давление распирания и их изменения не приводят к созданию опасных значений давления распирания в коксовых печах. Напротив, плотность загрузки и гранулометрический состав шихты оказывают большое влияние на давление распирания. Как видно из рис. 152 и 153, давление распирания некоторых шихт ( конечно, специально выбранных в качестве примера) может изменяться от вполне допустимых до опасных величин. Первой мерой предосторожности ( кроме ряда других мер, к которым должен прибегать коксовик, работающий с шихтами, представляющими опасность с точки зрения давления распирания) является регулирование плотности шихты, чаще всего изменением ее влажности от 8 до 10 % и изменением гранулометрического состава, добиваясь максимальной тонины помола. [25]
![]() |
Уровень освещенности в зависимости от выполняемой работы.| Цветовая контрастность. [26] |
Размер наблюдаемого объекта, который может быть адекватным или не зависящим от расстояния и угла зрения наблюдателя, является другим фактором. Эти два последних фактора определяют размещение рабочего места, распределяя различные зоны по степени легкости их видения. [27]
Анализ рис. 100 показывает, что в случае графоаналитического метода, отображая каждый из шпунтов независимо один от другого, мы пренебрегаем небольшим искривлением этих шпунтов, их сдвигом и уменьшением длины шпунтов. Так как два последних фактора оказывают на окончательный результат в известной мере противоположное влияние, то этим и объясняется высокая точность графоаналитического ме-тода, основанного на столь грубых допущениях. [28]
Это равносильно предположению, что отсутствуют макропоры и что поверхностной миграцией можно пренебречь. Если же действуют два последних фактора, то поверхность катализатора крекинга будет более доступной для реакции. [29]
Следует иметь в виду, что в каждом конкретном случае реальная дальность уверенного приема будет зависеть от ряда других факторов, таких как мощность передатчика, уровня атмосферных и промышленных помех, от класса приемника и качества применяемой антенны. Особое значение приобретают два последних фактора при использовании портативных транзисторных приемников. [30]