Cтраница 1
Использование электронных лучей в накопителях информации связано с новыми технологическими процессами. Так, в настоящее время все более широкое распространение в микроэлектронике получает электронная литография. Однако технологические процессы, разработанные для электронной литографии, можно использовать для записи информации в ПЗУ электронными лучами. [1]
Использование электронных лучей, обладающих малой длиной волны, позволяет заметно увеличить разрешающую способность оптической системы. [2]
![]() |
Принципиальное устройство горелки для плазменной резки ( пряной способ. [3] |
Хотя о возможности использования электронных лучей в качестве источника тепла узнали еще в начале столетия, предпосылки для их применения в технике были созданы лишь в последние два десятилетия. [4]
Для изучения мпкрое фуктуры широко применяют электронные микроскопы, разрешающая способность которых значительно выше. Использование электронных лучей, обладающих очень малой длиной волны [ ( 0 04 - 0.12) 10 8 см ], дает возможность различать детали изучаемого объекта размерами до 2 - 5 А. [5]
Разрешающая способность электронных микроскопов значительно выше оптических. Использование электронных лучей, обладающих очень малой длиной волны [ ( 0 04 - - 0 12) Ю 1 им I, дают возможность различать детали изучаемого объекта размерами до 0 2 - 0 5 им. [6]
![]() |
Микроструктура железа ( а и стали с 0 8 % С ( б, а. а X 250. б - Х300. в - электронная микрофотография, X БООС. [7] |
Разрешающая способность электронных микроскопов значительно выше оптических. Использование электронных лучей, обладающих очень малой длиной волны ( ( 0 04 - 0 12) 1СГ1 нм), дает возможность различать детали изучаемого объекта размером до 0 2 - 0 5 нм. [8]
Разрешающая способность электронных микроскопов значительно выше оптических. Использование электронных лучей, обладающих очень малой длиной волны [ ( 0 04 - f - 0 12) КГ1 нм ], дают возможность различать детали изучаемого объекта размерами до 0 2 - 0 5 нм. [9]
Разрешающая способность электронных микроскопов значительно выше оптических. Использование электронных лучей, обладающих очень малой длиной волаы [ ( 0 04 - г - 0 12) КГ1 нм ], дают возможность различать детали изучаемого объекта размерами до 0 2 - 0 5 нм. [10]
Применение электронных лучей позволяет получить чрезвычайно высокую плотность записи информации, недостижимую в других типах запоминающих устройств. Поэтому переход к использованию электронных лучей в накопителях прл увеличении плотности, записи информации является закономерным. Аналогично с увеличением разрешающей способности ( разрешения) произошел переход к использованию электронных лучей в микроскопии и литографии. Однако электроннолучевые накопители имеют и недостатки: необходимость высокого вакуума, применение высоковольтных источников питания, сравнительно низкая надежность основных источников электронов - накаливаемых катодов. Поэтому целесообразно использовать электронно-лучевые накопители при больших объемах хранимой информации. При малых объемах хранимой информации специфические возможности, получаемые при использовании электронных лучей, не могут быть использованы. [11]
В отличие от рентгеновских ионные лучи могут быть легко сфокусированы и сформированы в узкие пучки, позволяющие получать линии шириной 0 1 мкм. Ионная литография обеспечивает в 2 - 3 раза более высокую точность совмещения рисунков ( - 0 01 мкм), чем при использовании электронных лучей. Вследствие большой массы частиц ионные пучки значительно меньше чем электронные пучки подвергаются влиянию паразитных электрических полей. Вторичные электроны, возникающие в резисте при облучении, имеют среднюю длину пробега не более 0 1 мкм, практически отсутствуют эффекты близости. Все это в целом существенно повышает разрешающую способность резистов. Большой ток ионного пучка и высокая чувствительность позитивного резиста РММА ( полиметилметакрилат) к ионам, превышающая на 1 - 2 порядка чувствительность к электронам, обусловливают высокую производительность процесса ионной литографии. Существенным достоинством процесса ионной литографии является его хорошая технологическая совместимость с другими операциями, применяющимися в субмикронной технологии ИС. [12]
Рентгеновские лучи чрезвычайно слабо рассеиваются легкими атомами, поскольку последние содержат мало электронов. Поэтому при помощи рентгеновских лучей невозможно решать многие задачи, касающиеся расположения легких атомов в структурах. В значительной степени этот пробел восполняется использованием электронных лучей. [13]
Применение электронных лучей позволяет получить чрезвычайно высокую плотность записи информации, недостижимую в других типах запоминающих устройств. Поэтому переход к использованию электронных лучей в накопителях прл увеличении плотности, записи информации является закономерным. Аналогично с увеличением разрешающей способности ( разрешения) произошел переход к использованию электронных лучей в микроскопии и литографии. Однако электроннолучевые накопители имеют и недостатки: необходимость высокого вакуума, применение высоковольтных источников питания, сравнительно низкая надежность основных источников электронов - накаливаемых катодов. Поэтому целесообразно использовать электронно-лучевые накопители при больших объемах хранимой информации. При малых объемах хранимой информации специфические возможности, получаемые при использовании электронных лучей, не могут быть использованы. [14]
Применение электронных лучей позволяет получить чрезвычайно высокую плотность записи информации, недостижимую в других типах запоминающих устройств. Поэтому переход к использованию электронных лучей в накопителях прл увеличении плотности, записи информации является закономерным. Аналогично с увеличением разрешающей способности ( разрешения) произошел переход к использованию электронных лучей в микроскопии и литографии. Однако электроннолучевые накопители имеют и недостатки: необходимость высокого вакуума, применение высоковольтных источников питания, сравнительно низкая надежность основных источников электронов - накаливаемых катодов. Поэтому целесообразно использовать электронно-лучевые накопители при больших объемах хранимой информации. При малых объемах хранимой информации специфические возможности, получаемые при использовании электронных лучей, не могут быть использованы. [15]