Направленное движение - электрон
Cтраница 1
Направленное движение электронов и ионов в плазме может быть вызвано двумя причинами: электрическим полем, создающим ток, или же разницей в величине концентрации между различными участками плазмы. В неравномерно нагретой плазме обмен частицами между областями с различной температурой создает механизм плазменной теплопроводности, благодаря которому через плазму идет поток тепловой энергии. Перечисленные процессы объединяются общим названием - явления переноса. Особенно важное значение среди них для физики плазмы имеет возникновение электрического тока, которым мы и займемся в первую очередь. [1]
Направленное движение электронов возможно лишь в замкнутой электрической цепи. [2]
Направленное движение электронов и ионов в газе под действием электрического поля происходит аналогично движению свободных электронов в кристаллической решетке металла. Их скорость возрастает под действием сил поля только за время своего свободного пробега - от одного столкновения с нейтральной молекулой до следующего. Средняя скорость этого направленного движения пропорциональна напряженности поля. [3]
 |
Энергетическая плотность состояний с ( в ( занятые состояния. [4] |
Направленное движение электронов ( электрический ток) связано с переходом электронов из одних квантовых состояний в другие, для чего требуются вакансии в зоне. Электроны целиком заполненных зон в проводимости не участвуют. Если в непосредственной близости границы Ef имеются свободные состояния ( рис. 30, а), то переход электронов с энергией, близкой к Е, через эту границу наблюдается уже при очень малых воздействиях на систему. Электропроводность кристалла при Т 0 равна нулю, если валентная зона полностью занята и отделена зоной разрыва от следующей, более высокой, разрешенной зоны. [5]
Направленное движение электронов от катода к аноду при действии поля на диэлектрик невозможно, так как электроны не могут принять энергию от поля - все энергетические уровни в зоне заняты. Если же поле настолько сильное, что может сообщить электрону элер-гию. [6]
 |
Энергетическая плотность состояний с ( е ( занятые состояния. [7] |
Направленное движение электронов ( электрический ток) связано с переходом электронов из одних квантовых состояний в другие, для чего требуются вакансии в зоне. Электроны целиком заполненных зон в проводимости не участвуют. Если в непосредственной близости границы Е / имеются свободные состояния ( рис. 27, а), то переход электронов с энергией, близкой к Е / ( через эту границу наблюдается очень малых воздействиях на систему. [8]
Направленное движение электронов под влиянием электрического поля может быть описано аналитическими зависимостями. [9]
Такое направленное движение электронов называется дрейфом, а скорость этого движения - дрейфовой скоростью. Дрейф электронов и создает в кристалле электрический ток. [10]
 |
Кристаллические решетки. а - проводник. б - диэлектрик. [11] |
Такое относительно направленное движение электронов вдоль проводника называется электрическим током проводимости. [12]
Энергия направленного движения электронов, проходящих через контакт, может быть много больше их тепловой энергии. [13]
Обусловлена направленным движением электронов. [14]
Так как направленное движение электронов представляет собой электрический ток, а ток создает магнитное поле, то вращение по орбите, а также спин электрона создают магнитное поле. На рис. 111 - 28 показаны орбитальное движение и спин электрона, а также создаваемые этими движениями магнитные поля для простейшего атома вещества. При определении направления магнитного поля можно пользоваться правилом правой руки для катушки, но при этом следует помнить, что направление тока обратно направлению вращения электрона. [15]
Страницы: 1 2 3 4