Быстрая диффузия

Cтраница 3

DI оо, поток соответствует идеальному смешению: бесконечно быстрая диффузия полностью выравнивает концентрации. Все случаи 0Регоо являются промежуточными, они приближенно соответствуют тому или иному реальному потоку. [31]

Поскольку эксперимент проводился с целью показать, что достаточно быстрая диффузия не оказывает влияния на продвижение поверхности раздела, этот процесс выделен путем использования искусственного зародышеобразования в одинаковых условиях [ Poucftof М. Т., Verhoeven W. [32]

Колонная кристаллизация приводит к глубокой очистке также при быстрой диффузии примеси в твердой фазе, находящейся в состоянии предплавления. Однако в этом случае нет необходимости поддерживать градиент температуры и более выгодно максимально приблизить ее к температуре плавления твердой фазы. [33]

Оптимальный режим диффузии. [34]

Быстрое исчезновение нетаннидов внутри клеток в результате их более быстрой диффузии может обусловить переход части таннидов в клетках в нерастворимое состояние и тем сделать невозможным их экстрагирование. [35]

Концентрирование водорода методом диффузии через мембраны основано на более быстрой диффузии водорода по сравнению с другими соединениями. [36]

Анализ уравнения ( VIII-143) показывает, что при быстрой диффузии в материале ( при большом значении D) можно опустить L / 3D в этом уравнении. [37]

Как уже упоминалось, границы зерен могут служить путями быстрой диффузии и проникновения агрессивной среды. [38]

Анализ уравнения ( VIII-143) показывает, что при быстрой диффузии в материале ( при большом значении D) можно опустить L / 3D в этом уравнении. [39]

Результаты этих опытов можно хорошо объяснить, если предположить достаточно быструю диффузию на всех этапах. Если это не так, то следует обращаться к более специфическим экспериментам для идентификации лимитирующей стадии. Этот опыт может оказать большую пользу: если при неизменной форме внешнего контура происходит изменение скорости реакции, то это определенно говорит о лимитирующей роли диффузии в пористом слое. [40]

Косвенным указанием на возможность такой миграции вдоль полимерной цепи служит быстрая диффузия радикальных центров в полиэтилен и парафины при поверхностном облучении этих веществ высокочастотным разрядом вв. В полиформальдегиде и полиметил-метакрилате, где реакция эстафеты атома водорода вдоль цепи невозможна, миграция валентности с поверхности в объем происходит на 2 - 3 порядка медленнее. [41]

Медь, действующую в арсениде галлия как акцептор, вследствие быстрой диффузии по кристаллу считают важнейшей примесью. Медь диффундирует по междоузлиям, но может также и внедряться в решетку, замещая Ga, атомы которого имеют больший размер. Исходя из положения меди в периодической системе ( I группа), можно ожидать, что при замещении Ga она создаст самое большее два мелких уровня. Если, однако, она замещает As, то можно ожидать появления нескольких акцепторных уровней. Фуллер и Уэлан установили, что в арсениде галлия повышение концентрации дырок после диффузии меди в два или три раза превышает концентрацию меди. Это заставляет предположить, что медь создает в арсениде галлия по крайней мере два мелких акцепторных уровня. [42]

Высказано предположение [13], что гибель атомов кислорода в результате быстрой диффузии при низких давлениях и рекомбинации на стенке, которой раньше пренебрегали [109], приводит к наблюдаемому [109] второму порядку реакции O NO M. [43]

Образование границы люминесцирующего слоя и слоя с высоким сопротивлением при диффузии Си в ZnSe-Cl при 460 С. [44]

III, § 1 уже отмечалось, что самый факт сравнительно быстрой диффузии в кристаллах указывает на существование в них собственных дефектов. [45]

Страницы: 1 2 3 4