Диффузионное движение

Cтраница 3

При этом в жидкости возникает диффузионное движение частиц в область с меньшей их концентрацией. При критической напряженности электрического поля скорости движения становятся настолько велики, что обусловливают пробой жидкости. Продукты окисления образуют проводящие мостики, по которым также возможно развитие пробоя. [31]

В результате разности концентраций возникает диффузионное движение частиц: дырки движутся из р-области в и-область, а электроны диффундируют в обратном направлении. Следует особо подчеркнуть, что это движение не связано с взаимным отталкиванием одноименно заряженных частиц или же взаимным притяжением электронов и дырок. Причиной диффузионного движения частиц является только различие их концентраций по обе стороны от границы. [32]

Заметим, что та часть диффузионного движения, которая заключается в обмене местами между соседними ионами одинакового знака ( в случае, если подобный обмен существует), не имеет никакого значения для электропроводности ионного кристалла, так как обмен местами между одинаковыми ионами не приводит к какому-либо перераспределению электрических зарядов. Таким образом, существование ионной электропроводности следует рассматривать как непосредственное экспериментальное доказательство наличия в кристалле нарушений правильности в виде дислоцированных атомов и дырок или хотя бы одних только дырок, способных перемещаться по всему объему. [33]

Холодные нейтроны используются для изучения медленных диффузионных движений атомов и молекул в разл. [34]

Обе эти составляющие связаны с диффузионным движением основных носителей заряда. [35]

Инжектированные дырки в базовые области продолжают диффузионное движение в базе - часть из них рекомбинирует с электронами, входящими с базы в эмиттер, а остальные приближаются к коллекторному переходу. На границе этого перехода нерекомбинированные дырки попадают в зону действия поля перехода, которое оказывает на дырки ускоряющее действие. [36]

Интересующий нас коэффициент диффузии D описывает поступательное диффузионное движение; вращательную диффузию мы здесь рассматривать не будем. [37]

Частотные свойства фототранзисторов определяются в основном диффузионным движением носителей в базе прибора и процессами заряда емкостей переходов. С увеличением частоты модуляции светового потока фототек уменьшается так же, как и в фотодиодах. [38]

Процесс фазового обмена межслойных перетоков считается равновесным, диффузионным движением компонент пренебрега-ется. [39]

Это дифференциальное уравнение - уравнение диффузии описывает диффузионное движение электронов в дырочном полупроводнике с учетом рекомбинации. Рассмотрим полубесконечный стержень полупроводника р-типа, простирающийся от я 0 до л: оо. [40]

При исследовании небольших переносов энергии связанных с диффузионным движением в жидкости, для которой К 2k0 sin p / 2, более важно ограничить область измерения времени взаимодействия ( l / va K. Эти ограничения устранены в обсуждаемом ниже трех-кристальном спектрометре, который позволяет изменять величины ЕО и kQ и в то же время имеет более широкий диапазон экспериментально доступных углов рассеяния. [41]

Однако действие продольного магнитного поля сказывается на диффузионном движении заряженных частиц. По сечению столба дуги температура, а следовательно, и концентрация ионов и электронов неравномерна: в центре столба выше, а по периферии - ниже. Так как масса электронов во много раз меньше массы ионов, то коэффициент диффузии для электронов значительно выше, чем для ионов. [42]

Таким образом, время запаздывания является функцией скорости диффузионного движения. [43]

В общем случае процесс ( Хь Рл) сочетает непрерывное диффузионное движение и скачки. [44]

Зависимость константы Хаг. [45]

Страницы: 1 2 3 4