Тепловое движение

Cтраница 4

Тепловое движение нарушает правильность решетки, вызывая то сближения, то расхождения ионов и, следовательно, флуктуации электрического поля, охватывающие несколько атомных расстояний. На этих флуктуациях электронные волны рассеиваются, что соответствует изменению количества движения и энергии электронов, рассматриваемых как дискретные частицы. [46]

Тепловое движение приводит к тому, что то одно, то другое свободное место заполняется соседним ионом, который в свою очередь оставляет за собой пустое место. Этот процесс ведет к хаотическому перемешиванию ионов решетки, к их диффузии в пределах тела. В электрическом поле переход ионов происходит преимущественно в том направлении, которое соответствует действующей на них электрической силе и, таким образом, создает электрический ток. Такой механизм заполнения свободных мест требует меньшей энергии е, чем диссоциация и перемещение ионов сквозь решетку, и поэтому чаще всего преобладает при переносе тока нонами самой кристаллической решетки, тогда как посторонние ионы примеси обычно переходят из ячейки в ячейку описанным ранее путем. [47]

Тепловое движение нарушает правильность решетки, вызывая то сближения, то расхождения ионов, и, следовательно, флуктуации электрического поля, охватывающие несколько атомных расстояний. На этих флуктуациях электронные волны рассеиваются, что соответствует изменению количества движения, а иногда и энергии электронов, рассматриваемых как дискретные частицы. [48]

Тепловое движение, которое не нарушает дальнего порядка, оказывает, однако, большое влияние на движение электрона. То в одном, то в другом участке кристалла появляются местные флуктуации, создающие скопления или разрежение атомов и нарушения правильности решетки. [49]

Тепловое движение, помимо статистических отклонений атомов от положения равновесия, вносит и остающиеся из-лтенетшя: от времени до времени то тот, то другой атом получает такую амплитуду движения, что покидает свое место в решетке. Шоттки считал, что пустые места образуются на поверхности, затем путем постепенного замещения проникают внутрь тела, тогда как замещавшие их атомы выходят на поверхность. Если кристалл построен из ионов, то большую вероятность приобретает образование двух пустых узлов рядом в результате ухода положительного и отрицательного ионов. [50]

Тепловое движение создает в кристаллической решетке самые разнообразные флуктуации плотности электрического поля. [51]

Микрофотограмма края основной полосы поглощения закиси меди. ( По Е. Ф. Гроссу. [52]

Тепловое движение переводит на освобождающийся акцепторный уровень электрон из заполненной зоны, что приводит к возрастанию дырочной проводимости. [53]

Схема уровней энергии электронов в полупроводниках. [54]

Тепловое движение обеспечивает ( кроме других воздействий) переходы электронов в зону проводимости. [55]

Тепловое движение разрушает магнитный порядок, и потому существует критическая температура, называемая температурой Кюри, выше которой спонтанная намагниченность равна нулю. Для железа, например, температура Кюри составляет 770 С. При более высоких температурах железо не может быть постоянным магнитом. [56]

Зависимость р0 - и. - потенциа-лов иодида серебра от концентрации ( с иодид-ионов ( г-экв / л. ( Значения ф0 рассчитаны по уравнению Нернста. [57]

Тепловое движение рассеивает часть этих ионов внутрь раствора, и только на достаточно большом расстоянии от межфазной поверхности существует полностью равномерное распределение всех ионов в растворе. Согласно теории Гун-Чеп - мена, концентрация ионов по соседству с межфазной поверхностью определяется конкуренцией между электрическим полем соседней фазы и тепловым движением. [58]

Тепловое движение происходит как колебание около положения равновесия. Твердые вещества бывают кристаллическими и аморфными. В первых атомы расположены в определенном порядке, образуя кристаллическую решетку, во вторых атомы расположены хаотически. [59]

Страницы: 1 2 3 4