Тепловое движение - решетка
Cтраница 1
Тепловое движение решетки и связанные с ним колебания ядер учитывают как возмущение, не влияющее на энергетическое состояние электронов, но устанавливающее изотермическое распределение их по состояниям и обеспечивающее обмен энергией между электронами и решеткой. Теория твердого тела дает понятие самосогласованного поля, при котором многоэлектронная система сводится к представлению движения одного электрона в периодическом внешнем поле, представляющем усредненное и согласованное поле всех ядер и электронов. Стационарные состояния отдельного электрона в твердом теле называют одноэлектронными орбитами. [1]
 |
Схема доменной структуры. [2] |
Участвуя в тепловом движении решетки, несколько ионов могут одновременно сместиться из положения равновесия, при этом поле кристалла не будет равным нулю. [3]
Участвуя в тепловом движении решетки, несколько ионов могут одновременно сместиться из положения равновесия, при этом поле кристалла не будет равными нулю. [4]
Освобождающаяся при этом энергия переходит в тепловое движение решетки. [5]
Основным, присущим всем проводникам источником рассеяния электронных волн служат флуктуации теплового движения решетки кристалла. [6]
Основным источником рассеяния электронных воли, присущим всем проводникам, служат флуктуации теплового движения решетки кристалла. [7]
Если локальные уровни расположены достаточно близко от границ соответствующих зон, то ионизация ( или другой эффект) за счет энергии теплового движения решетки осуществляется сравнительно легко. Поэтому в зонах может оказаться заметное число свободных электронов ( или дырок) - даже в условиях, когда непосредственное возбуждение электронов из основной зоны в зону проводимости весьма маловероятно. [8]
Из этого соотношения следует, что температурное тушение люминесценции полупроводников происходит потому, что при увеличении температуры повышается вероятность испускания квантов теплового движения решетки. [9]
К и приближается к и яа Т 2; невидимому, здесь начинает преобладать рассеяние электронов на примесях и искажениях решетки, число которых не зависит от температуры, над рассеянием на флуктуацпях теплового движения решетки. [10]
В кристаллической решетке ионы совершают хаотические колебания около своих положений равновесия, называемых узлами решетки. Эти колебания представляют собой тепловое движение решетки и усиливаются с повышением температуры. [11]
Это означает, что подвижные носители заряда образуются лишь в результате нарушения порядка идеальной решетки. Изменение положения дефектов как носителей зарядов также требует энергии ( Wz), которая во всех случаях должна черпаться из теплового движения решетки. [12]
Разделение твердых веществ на металлы и полупроводники отражает не только меньшую электропроводность последних, но, что еще более важно, и отличие в знаке температурного коэффициента сопротивления. Электрическое сопротивление металлов обусловлено рассеянием электронов - носителей тока при взаимодействии с непериодическим потенциалом решетки, возникающим вследствие дефектов решетки ( например, примесей, граничных атомов, вакансий) или теплового движения решетки. Поскольку при более высокой температуре концентрация носителей остается постоянной, а движение решетки ускоряется, электропроводность металлов при повышении температуры обычно уменьшается. С другой стороны, полупроводники - это вещества с относительно небольшим числом проводящих электронов; если их число быстро увеличивается при повышении температуры, то электропроводность будет возрастать, несмотря на усиление движения решетки. [13]
Во многих твердых телах молекулы или группы атомов могут иметь несколько эквивалентных положений равновесия, соответствующих минимуму потенциальной энергии. Переход из одного равновесного положения в другое не меняет структуры молекулы, но требует затраты того или иного количества энергии. Если энергия теплового движения решетки достаточно велика, то в таких твердых телах будут происходить реориен-тации молекул или групп атомов между эквивалентными положениями равновесия. [14]
Энергетические уровни возбужденного электрона, входящего в состав экситона и находящегося в кулоновом поле положительного заряда, лежат, таким образом, несколько ниже края свободной полосы. Необходима затрата дополнительной энергии для перевода электрона в свободную зону, где он повысит концентрацию свободных носителей тока и вызовет фотоэффект. Эту дополнительную энергию может доставить тепловое движение решетки. [15]
Страницы: 1 2