Тепловое движение - электрон - проводимость
Cтраница 1
Тепловые движения электронов проводимости в омическом сопротивлении создают микротоки, являющиеся источниками тепловых помех. [1]
 |
Сравнение теоретическою значения коэффициента депрессии F с опытными значениями. [2] |
Шумы, возникающие вследствие теплового движения электронов проводимости в сопротивлениях, были открыты экспериментально в 1928 г. Джонсоном. [3]
В / см, когда скорость дрейфа существенно меньше скорости теплового движения электронов проводимости или дырок, их подвижности ц и Ир являются постоянными величинами. Полупроводник подчиняется закону Ома. При очень сильном электрическом поле, когда скорость подвижных носителей электрического заряда становится соизмеримой со скоростью их теплового движения, этот закон нарушается. Повышение общей скорости частиц ( с учетом упорядоченного движения) условно можно рассматривать как повышение температуры электронного или дырочного газа в объеме полупроводника, при этом из-за более частых столкновений частиц с атомами и неоднородностями решетки снижается их средняя длина свободного пробега и подвижность. Когда напряженность электрического поля превышает критическое значение Е - Екрж 104 В / см, наступает насыщение скорости дрейфа опмакс-107 см / с. На рис. 1 - 11, в приведена примерная зависимость vn-p ( E) для слаболегированного кремния - типа. Для некоторых полупроводников ( например, для арсенида галлия) характерно существенное отличие от приведенной зависимости, что используется в диодах Ганна. [4]
В / см, когда скорость дрейфа существенно меньше скорости теплового движения электронов проводимости или дырок, их подвижности 1п и ЦР являются постоянными величинами. Полупроводник подчиняется закону Ома. При очень сильном электрическом поле, когда скорость подвижных носителей электрического заряда становится соизмеримой со скоростью их теплового движения, этот закон нарушается. Повышение общей скорости частиц ( с учетом упорядоченного движения), условно можно рассматривать как повышение температуры электронного или дырочного газа в объеме полупроводника, при этом из-за более частых столкновений частиц с атомами и неоднородностями решетки снижается их средняя длина свободного пробега и подвижность. Когда напряженность электрического поля превышает критическое значение Е Екряз10 В / см, наступает насыщение скорости дрейфа Упмакс Ю7 см / с. На рис. 1 - 11, в приведена примерная зависимость vnp ( E) для слаболегированного кремния w - типа. Для некоторых полупроводников ( например, для арсенида галлия) характерно существенное отличие от приведенной зависимости, что используется в диодах Ганна. [5]
 |
К выводу формулы для удельного сопротивления металлического проводника. [6] |
Когда на металл не действует внешнее электрическое поле, то распределение скоростей теплового движения электронов проводимости VT по различным направлениям равновероятно, поэтому геометрическая сумма этих скоростей для некоторого, достаточно большого объема металла в любой момент времени равна нулю и тока через металл в отсутствии приложенного извне напряжения нет. [7]
Внутренняя энергия металла включает в себя не только энергию тепловых колебаний ионов, но также и энергию теплового движения электронов проводимости. [8]
На зажимах любого электрического проводника, находящегося при температуре выше абсолютного нуля, имеется напряжение шумов, появляющееся в результате теплового движения электронов проводимости. [9]
Мы уже говорили, что электрические заряды частиц и тел, как покачивают эксперименты, не зависит от скоростей движения УТИХ частип и тел и одинаковы но всех системах отсчета. Так, например, заряд металлического тела должен был бы очень сильно изменяться при нагревании тела, так как при любой температуре скорость теплового движения электронов проводимости значительно больше скорости теп / юного движения ионов. [10]
Однако это несущественно, так как в термодинамических расчетах приходится определять не абсолютные значения U внутренней энергии системы, а не зависящие от ( У0 изменения этой энергии Д [ У в различных термодинамических процессах, совершаемых системой. По той же причине под внутренней энергией обычно понимают только те ее составляющие, которые изменяются в рассматриваемых термодинамических процессах. Поэтому под внутренней энергией кристаллического диэлектрика мы будем понимать только кинетическую и потенциальную энергию, связанную с тепловыми колебаниями атомов, молекул или ионов, из которых построен этот диэлектрик. Очевидно, что при расчете внутренней энергии металлов нужно учитывать не только энергию тепловых колебаний ионов, но также и энергию теплового движения электронов проводимости. [11]
Во всех процессах, не связанных с химическими реакциями и другими превращениями электронных оболочек атомов и ионов, а также с ядерными реакциями, составляющие в) и г) внутренней энергии не изменяются и их можно не включать во внутреннюю энергию. В идеальном газе пренебрегают силами межмолекулярного взаимодействия на расстоянии. При расчете внутренней энергии кристаллического диэлектрика нужно учитывать кинетическую и потенциальную энергию связан кую с тепловыми колебаниями атомов, молекул или ионов, образующих этот кристал лический диэлектрик. Внутренняя энергия металла включает в себя не только энергию тепловых колебаний ионов, по также и энергию теплового движения электронов проводимости. [12]
Страницы: 1