Двойники - рост
Cтраница 1
Двойники роста возникают во многих случаях эпитаксии: в пленках металлов на солях, слюде, молибдените, в эпитаксиальных осадках германия на GaFe2 и др. Существует множество гипотез относительно причин их образования. Известно предположение [230], что двойники возникают вследствие аккомодации смещения между коалесцирующими зародышами. Метьюз и Аллинсон [226] наблюдали образование двойников в процессе коалесценции, когда один иа зародышей ( обычно меньший по величине) превращался в двойник по отношению к другому. [1]
По происхождению двойники разделяются на двойники роста и механические двойник и. Двойники роста образуются путем срастания или взаимного прорастания одиночных кристаллов в процессе роста. Механические двойники образуются под действием механических нагрузок в процессе пластической деформации. [2]
В первом случае монокристальные пленки относительно плохого качества, содержащие двойники роста, образуются на плоскости скола ( 111) при tK 920 С; во втором растут только поликристаллические конденсаты. По изложенным раньше причинам эпитаксиальная температура ( 920 С при эпитаксии Ge / BaF2), видимо, несколько завышена, хотя ее величина должна быть больше, чем при росте германия на флюорите, которая по тем же данным равна 590 С. [3]
 |
Сферолиты цитрата натрия. Ув. 100. [4] |
К двойникам, связь которых с автодеформацией не является очевидной, относят собственно двойники роста и их разновидность - двойники зарождения. К последним причисляют кристаллы, сдвойникованные уже к тому моменту, когда они становятся различимыми в оптический микроскоп. [5]
Влияние ориентации подложки на структуру пленок отмечают также Ньюмен и Голдсмит [13], получавшие более совершенные пленки на грани ( 111) GaAs, тогда как в пленках на плоскости ( 111), упакованной атомами галлия, ими наблюдались двойники роста. [6]
 |
Срастания кристаллов. [7] |
Двойники образуются механическим путем или при кристаллизации в результате слипания индивидов в двойниковом положении. Двойники роста приобретают типичный облик, обусловленный наличием входящих углов, в которых посадка частиц при росте кристалла наиболее выгодна в энергетическом отношении. Поэтому двойники развиваются в плоскости срастания по направлению входящих углов. Облик двойниковых кристаллов отличен от монокристаллов, их объем и масса превышают таковые одиночных кристаллов в 1 5 - 2 раза. [8]
 |
Двойниковые срастания. [9] |
Двойники образуются механическим путем или при кристаллизации в результате слипания индивидов в двойниковом положении. Двойники роста приобретают характерный облик, обусловленный наличием входящих углов, в которых при росте кристалла наиболее выгодна в энергетическом отношении посад-ка частиц. [10]
По происхождению двойники разделяются на двойники роста и механические двойник и. Двойники роста образуются путем срастания или взаимного прорастания одиночных кристаллов в процессе роста. Механические двойники образуются под действием механических нагрузок в процессе пластической деформации. [11]
Если два разориентированных участка монокристалла идентичны, но соединены между собой таким образом, что граница блоков представляет зеркальную плоскость симметрии, они образуют двойник. Двойник может быть асимметричным и относительно оси вращения. Известно несколько способов образования двойников. Двойники роста могут возникать при выращивании кристаллов. За счет двойникования могут осуществляться переходы из низкотемпературных в высокотемпературные модификации кристалла и наоборот. Двойники могут образовываться также и при механической обработке кристаллов, например их резании. [12]
При легировании цинком пленки имеют в общих чертах такую же морфологию, как и при легировании кадмием. Однако дефекты упаковки на грани ( 111) имеют вид одиночных линий. Несколько возрастает плотность ямок. При концентрациях цинка 1 840 - 2 на грани ( 111) обнаруживаются двойники роста, которые без легирования не образуются. [13]
II, пластическая деформация кристаллических тел может осуществляться не только скольжением, но и двойникованием. При этом металлографическими способами выявляются области, иначе травящиеся, чем окружающий матричный кристалл. Отличительными признаками этих областей являются прямолинейность и строгая кристаллографическая направленность двух параллельных границ. Дифракционными ( рентгеновскими и др.) методами установлено, что эти области закономерно отличаются своей ориентировкой и расположением атомов относительно матрицы. Плоскости зеркального отражения, пересечение которых с плоскостью шлифа имеют вид прямолинейных границ, являются плоскостями двойникования. Переориентированные области называют двойниками, а процесс их образования двойникованием. Двойники в кристаллах делятся на двойники роста ( рост кристалла из расплава, в процессе рекристаллизации и отжига) и деформационные двойники. [14]
Страницы: 1