Двойникование - кристалл
Cтраница 2
При этом влияние TiN и A1N связано, по-видимому, с увеличением содержания только азота в растворе - расплаве, так как присутствие Ti и А1 отрицательно сказывается на двойникование кристаллов. Сравнительно более сильное влияние нитрида кремния ( см. рис. 140, б) обусловлено присутствием в шихте как N, так и Si, поскольку образование карбида кремния в реакционной смеси в условиях синтеза алмаза значительно стимулирует появление двойников. [16]
В этих условиях, как в дальнейшем выяснилось, возникают двойниковые пластинчатые включения. Ссылка авторов [27] на метод двойникования кристаллов кальцита по Баумгауэру [28], по-видимому, связана с тем что в то время многие авторы пользовались этим методом вследствие его простоты, хотя этот метод не позволяет проследить за образованием механических двойников. В период 1890 - 1938 гг. был опубликован ряд работ, посвященных исследованиям двойникования кальцита [23-30], которые, однако, не могли решить проблему Фогта, так как авторы этих работ оперировали, как и Фогт, со средними по плоскости двойникования напряжениями сдвига. [18]
В антиферромагнетиках возможно существование доменных границ двух типов. LMj - M2, то при магнитном упорядочении может происходить двойникование кристалла с образованием двойниковых доменных границ Г - типа. Другой, так называемый 5-тип доменных границ характеризуется тем, что переход от одного домена к соседнему осуществляется путем поворотов спинов в переходном слое. [19]
При 158 - 159 С коричневая модификация дициклопентадиенилмарганца претерпевает обратимое изменение цвета до розового, которое было объяснено переходом в моноклинную пространственную группу ферроцена. Однако позднее появились данные [33], что кристаллографические параметры для ромбической модификации неправильны и являются следствием двойникования кристаллов. [20]
На отдельных кристаллах твердых растворов с Р205 наблюдаются асимметричные фигуры травления, появление которых может быть признаком двойникования кристаллов. По мере увеличения содержания компонентов-примесей в твердых растворах количество ямок травления не только увеличивается, но меняется их характер. Фигуры травления кристаллов предельных составов твердых растворов представлены в виде крупных скоплений мелких ямок травления. Дефектное состояние решетки кристаллов, характеризующееся подобными фигурами травления, предшествует распаду твердых растворов. Исследование показало, что при наличии в решетке титана структура становится чрезвычайно дефектной: наблюдается большое число ямок травления, скопления их в виде агрегатов, возрастает блочность кристаллов. [21]
Размер несовершенной области по крайней мере в одном направлении может доходить до нескольких атомных диаметров. Примером несовершенства внутренних участков в кристаллах галогенида серебра могут быть вакантные места кристаллической решетки, дислоцированные и инородные атомы, нарушения укладки плотно упакованных плоскостей кристаллов, границы двойникования кристаллов, межкристаллические прослойки и особенно дислокации. [22]
Известно, что 28 имеет три или даже четыре модификации. QS при 675 С, но при скорости охлаждения цементов, имеющей место в производственных условиях, в клинкере сохраняется ( 3 - C2S в виде зерен округлой формы, обычно показывающих двойникование кристаллов. [23]
Пластическое деформирование изменяет структуру материала поверхностного слоя. Пластическое деформирование твердых тел складывается из четырех наиболее важных элементарных процессов: скольжения по кристаллографическим плоскостям ( скольжение в отдельных зернах поликристаллического тела происходит обычно по нескольким плоскостям, число которых возрастает с повышением напряжения); двойникования кристаллов; отклонения атомов от правильного расположения в решетке и их тепловое движение; разрушения структуры. [24]
Поэтому для сохранения пост, диаметра кристалла в процессе вытягивания с неизменной скоростью необходимо программное изменение темп-ры. На свойства растущего кристалла большое влияние оказывает правильное затравление. Разориептировка затравки на несколько градусов по отношению к направлению преимущественного роста приводит к двойникованию кристалла. [25]
Поэтому для сохранения пост, диаметра кристалла в процессе вытягивания с неизменной скоростью необходимо программное изменение темн-ры. На свойства растущего кристалла большое влияние оказывает правильное затравление. При правильном росте кристалл повторяет кристаллографич. Разориентировка затравки на несколько градусов по отношению к направлению преимущественного роста приводит к двойникованию кристалла. [26]
Рассмотрим более подробно двойникование в кристаллах НБН, поскольку без его устранения практическое применение этих кристаллов весьма ограничено. Как уже говорилось ( см. § 1), микродвойникование происходит при охлаждении во время фазового перехода из тетрагональной ( 4шга) в орторомбическую ( тт2) модификацию при температуре 260 С. Процесс двойникования действует в этом случае как механизм, ослабляющий внутренние напряжения в кристалле, вызванные этим переходом. Размер элементарной ячейки вдоль оси с при переходе остается почти постоянным, но еслн параметры а и Ъ тетрагональной ячейки одинаковы, то в орторомбической они несколько различаются. Эти напряжения снимаются двойникованием кристалла. [27]
Страницы: 1 2