Амбиполярная диффузия
Cтраница 1
Амбиполярная диффузия возникает в плазме низкой плотности с малой степенью ионизации. Когда количество нейтральных частиц намного превышает количество заряженных, движение плазмы подчиняется движению нейтральных частиц, на которые магнитное поле не оказывает прямого воздействия. Заряженные частицы, напротив, подвержены воздействию магнитного поля, и, следовательно, их скорость будет отличаться от скорости нейтральных частиц. [1]
Чтобы амбиполярная диффузия была заметна, плотность ионов р и частота столкновений ионы-нейтралы 77in должны быть меньше, чем обычно встречающиеся в звездных оболочках. [2]
Коэффициент амбиполярной диффузии представляет собой средний коэффициент диффузии, усредненный в отношении подвижностей. [3]
При стационарной амбиполярной диффузии положительные ионы и электроны двигаются от оси трубки к стенкам под влиянием разности концентраций. [4]
Эта величина называется коэффициентом амбиполярной диффузии. [5]
Это явление носит название амбиполярной диффузии. [6]
Для определения коэффициента Da амбиполярной диффузии из соотношения ( 4) необходимы данные о заряде Z макрочастиц. [7]
Найти дифференциальное уравнение, описывающее амбиполярную диффузию и дрейф распределения избыточных пар электрон - дырка внутри полупроводника, имеющего равновесные концентрации электронов 0 и дырок р0, которые сравнимы по величине при приблизительном выполнении условия электронейтральности внутри кристалла. [8]
Найти дифференциальное уравнение, описывающее амбиполярную диффузию и дрейф распределения избыточных пар электрон - дырка внутри полупроводника, имеющего равновесные концентрации электронов nQ и дырок р0, которые сравнимы по величине при приблизительном выполнении условия электронейтральности внутри кристалла. [9]
Более тонкий токовый канал немедленно размывается амбиполярной диффузией. [10]
 |
Изменение напряженности электрического поля по длине дуги при расходе аргона 0 67 г / с ( а, б, в, при токе 150 А ( г, д, е для диаметров дугового канала. а, г - 0 6 б, д - 1 0 в, е - 1 2. [11] |
Штеенбека [87], при этом не учитывается амбиполярная диффузия заряженных частиц, наличие собственно магнитного поля дуги, неоднородность распределения параметров дуги по ее длине и ряд других параметров. [12]
Эта формула и определяет поле, возникающее при амбиполярной диффузии. Мы видим, что поле пропорционально разности коэффициентов диффузии частиц обоих знаков заряда и относительному градиенту концентрации заряженных частиц. [13]
Стабилизация разряда в диффузионных лазерах осуществляется за счет процессов амбиполярной диффузии заряженных частиц. Поэтому потоки теплоты Q и заряженных частиц if направлены перпендикулярно оптической оси резонатора О к стенке разрядной трубки. В конвективных лазерах с продольной прокачкой стабилизация заряда, как правило, также осуществляется диффузией заряженных частиц к стенке. [14]
Формула ( 597) представляет собой общее выражение для коэффициента амбиполярной диффузии, независимое от геометрической конфигурации плазмы, так как эта конфигурация нигде в наш вывод не входила. [15]
Страницы: 1 2 3 4