Cтраница 1
Использование микросхемы допускается только в типовой схеме включения. [1]
![]() |
Корпус Пенал.| Корпус Акция. [2] |
Использование микросхем, заключенных в корпус, приводит к непроизводительно большим затратам полезного объема и веса устройства, уменьшает на один-два порядка плотность компоновки элементов по сравнению с плотностью их размещения в кристалле или на подложке. [3]
Использование микросхемы осуществляется с помощью щелевого переключателя, имеющего набор контактов, которые накладываются на кнопку при введении карты. [4]
Допускается использование микросхемы в иной схеме включения, отличающейся от типовой, при условии соблюдения электрических режимов. [5]
Допускается использование микросхем при понижении напряжения питания до 7 2 В ( при этом должно быть С / вх0 5 В. Для построения счетчика на несколько десятичных разрядов необходимо выход 4 младшего разряда соединить с выходом 7 старшего разряда. [6]
![]() |
Временная диаграмма работы генератора КР1810ГФ84.| Схема установки микропроцессора и микропроцессорной системы в исходное состояние с помощью микросхемы К. Р1810ГФ84. [7] |
Примеры использования микросхемы КР1810ГФ84 приведены на рис. 16.23 - 16.25, на которых показаны различные варианты формирования сигнала Готовность при работе с одной и двумя системными шинами. [8]
При использовании микросхем и высокочастотных разъемов с золочеными выводами тонкая пленка золота с выводов должна быть при лужении удалена путем растворения в массе припоя. В противном случае золото будет растворено в процессе пайки в зоне паяного шва. Образующиеся при этом хрупкие интерметаллические соединения золота и припоя сосредоточиваются в паяном шве, ослабляя его. [9]
При использовании микросхем в качестве фиксированного стабилизатора напряжения разность между абсолютными значениями положительного и отрицательного полюсов выходного напряжения не превышает 0.3 В. [10]
При использовании микросхем в большей взаимосвязи, чем при конструировании устройств на транзисторах, должны решаться схемотехнические и конструктивно-технологические вопросы. Это относится к расположению микросхем и радиокомпонентов на печатной плате, мерам по исключению самовозбуждения, уменьшению наводок, отводу тепла и ряду других вопросов, которые рассмотрены в гл. [11]
При использовании микросхем с высокой степенью интеграции плотность размещения элементов значительно повышается. [12]
При использовании микросхем в качестве фиксированного стабилизатора напряжения разность между абсолютными значениями положительного и отрицательного полюсов выходного напряжения не превышает 0 3 В. [13]
При использовании микросхем памяти большей емкости, например микросхемы 537РУ1 емкостью 4096 бит, собственно память может быть выполнена на одном кристалле. [14]
При использовании микросхем повышенной степени интеграции необходимость в синтезе указанных типовых структур иногда отпадает, поскольку они могут входить в состав серий. [15]