Действие - туннельный диод
Cтраница 1
Действие туннельного диода основано на туннельном эффекте, заключающемся в способности микрочастиц проходить через потенциальный барьер, имея энергию, меньшую минимальной энергии, необходимой для преодоления барьера. Возможность такого эффекта объясняется волновыми свойствами микрочастиц. [1]
Механизм действия туннельных диодов связан с туннелирова-нием электронов сквозь потенциальный барьер. [2]
Механизм действия туннельных диодов связан с туннелированием электронов сквозь потенциальный барьер. Время, необходимое для завершения этого процесса, составляет 10 - 13 - 10 - 14 с. Поэтому туннельные диоды способны работать на частотах до сотен гигагерц, что соответствует миллиметровому диапазону радиоволн. Верхний предел частотного диапазона работы туннельных диодов ограничен лишь паразитными реактивностями - собственной емкостью, основу которой составляет барьерная емкость электронно-дырочного перехода, и индуктивностью выводов и корпуса. [3]
Качественным отличием в действии туннельных диодов является механизм передачи сигнала. В электронных лампах и транзисторах эта передача осуществляется перемещением эмитируемых носителей заряда от одних электродов к другим, на что требуется значительное время, пропорциснальное длине пути движения носителей. Туннельный же эффект обеспечивает скорость передачи сигнала, близкую к скорости распространения света при очень малых перемещениях носителей. Это позволяет достичь весьма высоких частот действия туннельного диода. Кроме того, туннельный диод менее подвержен вредному воздействию ядерных излучений, меньше зависит от нарушений структуры и, что особенно важно, температурный предел его работы примерно на 50 % выше, чем у транзисторов. [4]
На этом явлении основано действие туннельных диодов, пригодных, для усиления и генерирования СВЧ колебаний и для построения сверхбыстродействующих импульсных устройств. [5]
На этом явлении основано действие туннельных диодов, пригодных для усиления и генерирования СВЧ колебаний и для построения сверхбыстродействующих импульсных устройств. [7]
Уже теперь экспериментальными исследованиями практически подтверждена возможность действия туннельного диода на частотах ц о2Ггц, в перспективе же - до 100 Ггц. [8]
 |
Схема термо - - электронной ионизации. [9] |
В этом случае эффект может быть заметен при полях порядка 10е в / см. Еще более вероятен туннельный эффект на контакте полупроводника и металла ( см. рис. 36 6), если при этом ширина барьера не увеличивается областью объемного заряда. На туннельном эффекте основано действие туннельных диодов. [10]
Статья является обзором современного состояния разработки и выпуска туннельных полупроводниковых приборов. В ней кратко рассмотрен принцип действия туннельного диода и дан обзор теории его вольтамперной характеристики. Описана зависимость параметров туннельных диодов от свойств исходного полупроводникового материала. [11]
Статья является обзором современного состояния разработки и выпуска туннельных полупроводниковых приборов. В ней кратко рассмотрен принцип действия туннельного диода и дан обзор теории его вольтамперной характеристики. Описана зависимость параметров туннельных диодов от свойств исходного полупроводникового материала. [12]
Качественным отличием в действии туннельных диодов является механизм передачи сигнала. В электронных лампах и транзисторах эта передача осуществляется перемещением эмитируемых носителей заряда от одних электродов к другим, на что требуется значительное время, пропорциснальное длине пути движения носителей. Туннельный же эффект обеспечивает скорость передачи сигнала, близкую к скорости распространения света при очень малых перемещениях носителей. Это позволяет достичь весьма высоких частот действия туннельного диода. Кроме того, туннельный диод менее подвержен вредному воздействию ядерных излучений, меньше зависит от нарушений структуры и, что особенно важно, температурный предел его работы примерно на 50 % выше, чем у транзисторов. [13]
Основное преимущество туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и транзисторами заключается в его большом быстродействии, обусловленном высоким частотным пределом. Это связано с его двумя особенностями. Во-первых, переход электрона через потенциальный барьер осуществляется за время около 10 - 13 с, определяемое скоростью распространения электрического поля в полупроводнике, вследствие чего процесс туннелирования не зависит от температуры. Приборы, работающие на неосновных носителях заряда, ограничены по частоте относительно низкими коэффициентами диффузии. Таким образом, механизм действия туннельного диода позволяет ему работать до частот порядка 1013 Гц. Частотный предел этих приборов практически ограничен техническими и конструктивными параметрами: емкостью р-п перехода, индуктивностью выводов и пр. [14]
Страницы: 1