Действие - оптическое излучение
Cтраница 2
Если при поглощении полупроводником кванта оптического излучения электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости, то поглощение называют собственным. Если иод действием оптического излучения электрон переходит с примесных уровней в зону проводимости или из валентной зоны на примесный уровень, то поглощение называют примесным. [16]
Фотоприемники - это полупроводниковые приборы, которые управляются оптическим излучением. Под действием оптического излучения происходит изменение электрофизических параметров фотоприемника, обусловленное образованием дополнительных свободных носителей заряда в полупроводнике. [17]
 |
Возможные механизмы возбуждения фотоносителей в полупроводнике.| Изменение концентрации носителей заряда в полупроводнике при освещении его прямоугольным импульсом света. [18] |
Носители, возбуждаемые светом, называют фотоносителями. Их концентрация зависит от интенсивности и частоты излучения. Изменение электрического сопротивления полупроводника под действием оптического излучения называют фоторезистивным эффектом. Электропроводность полупроводника, обусловленная фоторезистивным эффектом, называют фотопроводимостью. [19]
Величина выхода восстановления четырехвалентного церия, отвечающего этой пунктирной кривой, примерно на 15 % больше, чем для кривой 1, Увеличение выхода могло произойти в результате увеличения поглощения f - излу-чения. При наличии платины - [ - излучение, поглощенное платиной, могло частично трансформироваться в электроны и этим увеличить выход восстановления церия. Весьма вероятно, что этот эффект связан с уменьшением перенапряжения выделения кислорода на платине при воздействии на нее излучения, что, как уже рассматривалось выше, должно привести к сдвигу равновесия в системе в сторону образования трехвалентного церия. Снижение перенапряжения может быть вызвано действием излучения на окисный слой на платине, аналогично изученному одним из нас [9] действию оптического излучения на аноднополяризованный платиновый электрод. Изучение действия радиоактивного излучения на окисные слои на металлах, служащих электродами, представляет несомненный интерес и является предметом дальнейшего исследования. [20]
Возможность количественного измерения поглощения щелочногалоидных кристаллов представляет большое преимущество цри исследовании механизма их свечения. К этому преимуществу присоединяются и другие: простота кристаллической решетки, ее определенно ионный характер и возможность приготовления фосфоров без плавня, нарушающего кристаллическую решетку как в структурном, так и в химическом отношении. Поэтому кри-сталлофосфоры щелочногалоидной группы неоднократно исследовались для выяснения природы свечения кристаллических веществ. Однако опыты показали, что кристаллофосфоры данной группы создают и дополнительные трудности, которые снижают их ценность как объектов, служащих для выяснения общих законов и кинетики свечения кристаллофосфоров. Здесь следует отметить малый выход сничеаия, вследствие чего данные соединения нельзя считать типичными фосфорами; слабость свечения усложняет, кроме того, технику исследовании. Свечение щелочногалоидных кристаллов не просто и по спектральному составу. Помимо видимого свечения, эти фосфоры имеют еще значительное ультрафиолетовое излучение. Далее, щелочногалоидные соединения своеобразно и сравнительно трудно активируются. Из других ионов тяжелых металлов в решетку щелочногалоидных фосфоров входит Си и Ni. Кроме того, как показывают непосредственные исследования, внутрь кристаллов могут проникать частицы газов, в частности составные части воздуха. Присутствие тех или иных газов внутри кристаллической решетки усложняет процессы свечения и ведет к появлению новых полос излучения. Особенно большие трудности вносит окрашивание щелочногалоидных фосфоров, происходящее под действием рентгеновского и коротковолнового оптического излучения: прозрачные кристаллы щелочногалоидных солей, подвергнутые действию коротковолнового излучения, приобретают окраску, невидимому, вследствие образования внутри кристаллической решетки нейтральных атомов металла. У кристаллофосфоров других групп это явление выражено гораздо слабее. [21]
Страницы: 1 2