Действие - облучение
Cтраница 4
Ниже приведено время переносимости действия инфракрас-ного облучения различной интенсивности от источников нагревания с температурой 800 - 1600 С. [46]
Если поток газа-носителя подвергать действию облучения источником мягких ( 3-частиц ( Т63, Ni), то в непосредственной близости от облучающей поверхности в так называемой плазме устанавливается определенная концентрация электронов. Наряду с первичными электронами в плазме существует некоторое количество вторичных электронов, получаемых в результате процессов ионизации, которые имеют место вследствие протекания процессов столкновения первичных электронов с молекулами находящегося в этом объеме газа. При этой реакции, естественно, образуются также положительные ионы. Наложение электрического поля на плазму приводит к возникновению фонового тока. Вследствие низкой энергии электронов ( приближающейся к энергии тепловых электронов) и относительно низкого перепада напряжений на ионизационной камере облучаемый объем камеры становится идеальной средой для протекания процессов захвата электронов. [47]
Стирол очень устойчив к действию облучения, причем после облучения способен выдерживать длительное нагревание при 250 за счет возникновения поперечных связей. [48]
Наиболее тонкие волокна поддаются действию облучения в большей степени. Чем меньше степень полимеризации поливинилового спирта, тем более устойчиво в этом отношении волокно. [50]
Повышение временного сопротивления под действием облучения не учитывается. [51]
В твердых телах под действием облучения происходит ряд процессов. Электроны и у-лучи влияют только на электронные оболочки атома; они превращают нейтральные частицы в ионы или создают возбужденные атомы в решетке твердого тела. Например, при облучении стекла электронами оно окрашивается вследствие захвата электронов ионами щелочных металлов, которые становятся нейтральными. В результате длительного облучения концентрация нейтральных атомов возрастает, решетка твердого тела изменяется и в ней возникают нарушения. [52]
 |
Значения к для сталей перлитного класса и их сварных соединений с. [53] |
Повышение временного сопротивления под действием облучения не учитывается. [54]
Органические соединения галогенов под действием облучения выделяют кислые продукты. Наиболее простой дозиметр этого типа - вода, насыщенная чистым хлороформом. Соляная кислота, которая образуется при облучении, может быть определена простым титрованием щелочью, по электропроводности или любым стандартным аналитическим методом определения хлорид-иона. Выход соляной кислоты относительно независим от мощности дозы и энергии излучения; но так как радиолитическое превращение идет с участием кислорода, содержание последнего в системе определяет верхний предел измеряемых доз. Все сказанное относится и к двухфазной системе хлороформ - вода. В данном случае большая часть радиационно-химических реакций идет в органической фазе, а возникшая соляная кислота экстрагируется водным слоем. В хлороформе инициируются цепные реакции, поэтому выходы кислоты очень высоки, что позволяет измерять небольшие поглощенные дозы. Однако цепные реакции имеют некоторые недостатки, это, в первую очередь, сильная зависимость выхода от мощности дозы, температуры и примесей. Такие добавки настолько улучшают параметры двухфазной системы хлороформ - вода, что дозиметр удовлетворительно регистрирует дозы от 50 до 1000 род. Двухфазная система тетрахлорэтилен - вода, содержащая различные количества ингибаторов, может быть использована для получения доз от 1 до 10 рад. Однако большое содержание хлора с относительно высоким значением Z приводит к зависимости показаний двухфазных дозиметров от энергии излучения, особенно для у-фотонов с низкой энергией. [55]
Страницы: 1 2 3 4