Cтраница 3
Под действием поля Н0 магнитный момент, а, следовательно, и ось гироскопа, ориентированы вдоль поля. [31]
Под действием поля заряд приближается к нити до расстояния г2 2 см; при этом совершается работа А 50 эрг. [32]
Под действием поля заряд приближается к нити до расстояния г г 2см; при этом совершается работа А - 50 эрг. [33]
Под действием поля заряд приближается к нити до расстояния г2 2 см; при этом совершается работа А - 50 эрг. [34]
Под действием поля исчезает атомная шероховатость поверхности, вызывающая появление больших локальных полей. Поэтому поверхность кристалла, сформированная испарением в поле, обладает почти идеально упорядоченными плоскостями. [35]
Под действием поля оптические электроны атомов среды смещаются вдоль направлений, параллельных оси ОХ. [36]
Под действием поля, приложенного к образцу, домен дрейфует через него от катода к аноду. Когда он исчезает у анода, у катода возникает другой домен сильного поля и начинает свое движение через полупроводник, повторяя весь цикл. [37]
![]() |
Движение домена. [38] |
Под действием поля, приложенного к образцу, домен дрейфует через него от катода к аноду. [39]
Под действием поля внутри конденсатора на шарике индуцируются заряды. Они распределяются по поверхности шарика так, чтобы заряды, одноименные с зарядом одной пластины конденсаторов, расположились дальше от нее, а разноименные-ближе к ней. Это приводит к возникновению силы, притягивающей шарик к ближайшей из пластин. При соприкосновении шарика с пластиной на него переходит заряд, одноименный с зарядом пластины, возникает отталкивание от этой пластины и притяжение к другой. Шарик переносит на себе заряды с одной обкладки конденсатора на другую. [40]
Под действием поля частица описывает в системе К некоторую траекторию. [41]
Под действием поля в нем возникнет упорядоченное движение свободных электронов металла в направлении, противоположном направлению напряженности Ео этого поля. В этом можно убедиться, удалив проводник из электрического поля. [42]
Под действием поля индуцируется дипольный момент между двумя атомными уровнями. [43]
Под действием поля дефекта ферромагнитные частицы, намагничиваясь, поворачиваются вдоль потока магнитной индукции и приобретают ускорение, сообщаемое им затягивающей силой. Частицы концентрируются на тех участках, где интенсивность магнитных силовых линий вблизи поверхности изделия максимальна. На перемещение частиц влияет также вязкость жидкости, что вызывает торможение и замедление движения частиц. [44]
![]() |
Лампа бегущей волны. [45] |