Действие - высокочастотное поле
Cтраница 1
Действие высокочастотного поля вызывает межмолекулярное взаимодействие по всей толщине материала, результатом чего является равномерное нагревание. [1]
 |
Схема датчика прибора. [2] |
Под действием магнитного высокочастотного поля, образованного катушкой Li, в металле контролируемого изделия возникают вихревые токи. [3]
 |
Внешний вид толщиномера, ме 1 - 76. [4] |
Под действием магнитного высокочастотного поля, образованного катушкой L3, в металле контролируемого изделия возникают вихревые токи. [5]
 |
Ърытшыъсхе радио - ласти длин & олн 5 д. 300 мм ц. [6] |
Эти переходы происходят под действием высокочастотного поля проходящей через газ высокочастотной электромагнитной волны. [7]
Оно ликвидирует вибрацию монокристалла, передаваемую к нему от вибрирующего под действием высокочастотного поля расплава в зоне и предотвращает поломку тонкой затравки. [8]
Из диаграммы видно, что электрон 1 успевает достигнуть сетки и уйти из пределов действия высокочастотного поля в пространстве катод - сетка в течение положительного полу периода этого поля. Этот и аналогичные ему электроны далее беспрепятственно достигнут анода, под действием приложенного к нему положительного потенциала, частично передав свою энергию в анодно-сеточный колебательный контур. Электрон 2, начав свое движение в течение положительного полупериода высокочастотного поля, далее, не долетев до сетки, испытывает тормозящее действие переменившего знак поля и, потеряв свою скорость до нуля, может начать обратное движение к катоду. Однако при новой смене знака высокачастотного электрического поля этот электрон попадает в пространство сетка - анод и далее движется к аноду. [9]
Авторы разработали специальные методы з-ащиты королька измерительной термопары от дополнительного тепловыделения в нем под действием высокочастотного поля. [10]
 |
Смещение зарядов в электрическом поле. а - в обычном диэлектрике. б - в плазме. [11] |
На рис. 7 ( внизу) приведена кривая, показывающая, как электрон, колеблющийся под действием высокочастотного поля, изменяет положение в пространстве. [12]
При этом для высокочастотной модуляции возбуждающего света используют дифракцию на стоячей ультразвуковой волне, возникающей под действием высокочастотного поля в пьезокварце или жидкости ( например, в ксилоле), в которую помещена пьезокварцевая пластина. [13]
В квантовом пределе ( ftcoc kBT) циклотронный резонанс также нужно рассматривать как переходы между квантовыми состояниями под действием высокочастотного поля. [14]
Отсюда видно, что скорость изменения фазы зависит от разности ( пш - - шс) и скорости изменения медленной фазы Ф в результате действия высокочастотного поля. В свою очередь и первый фактор содержит динамическую составляющую: помимо кинематического изменения фазы электрона относительно поля, вызванного начальным рассинхрониз-мом и) и пшс, вклад дает неизохронность вращения, т.е. зависимость шс от энергии. В целом определяет фазу вращения электрона относительно фазы высокочастотного поля. [15]
Страницы: 1 2 3