Cтраница 1
Действие электромагнитного поля при сварке в потолочном положении является основным фактором, способствующим переносу металла. [1]
Действие электромагнитного поля напряженность: 500 - 2000 а вит. Структура кристаллических оса; ков HgCl2, получаемых после воздействия МП на раство ] отличается от осадков, образуемых в обычных условия кристаллизации. В зависимости от продолжительности дез ствия поля уменьшается индукционный период кристалл: зации бромата калия из раствора, приготовленного i трижды дистиллированной воде. Так, в поле 500 а ви-время индукции составляет 6 мин. [2]
Действие электромагнитного поля на человека зависит от частоты колебания волн, при повышении частоты и уменьшении длины волны отрицательное воздействие становится более существенным. [3]
Степень действия электромагнитного поля на человека зависит от интенсивности облучения, длительности воздействия и частоты тока. Длительное систематическое воздействие на работающих электромагнитных полей различных частот большой интенсивности может вызвать повышенную утомляемость, головную боль, сонливость или нарушение сна, гипертонию и другие заболевания, а также травматизм. [4]
Результатом действия электромагнитного поля высокой частоты на человека является функциональное расстройство центральной нервной системы, протекающее с признаками ослабления вегетативной нервной системы. [5]
Под действием электромагнитного поля происходит обжатие столба дуги, а благодаря избыточному давлению газа дуга вытягивается в направлении движения струи. Это приводит к резкому увеличению плотности тока и повышению температуры струи. Плазменная струя выходит из канала сопла плазмотрона в виде тонкого шнура длиной видимой части до 60 мм. [6]
Под действием электромагнитного поля происходит обжатие столба дуги, а благодаря избыточному давлению газа дуга вытягивается в направлении движения струи. [7]
Под действием электромагнитного поля происходит обжатие столба дуги, а благодаря избыточному давлению газа дуга вытягивается в направлении движения струи. Это приводит к резкому увеличению плотности тока и повышению температуры струи. [8]
Под действием электромагнитного поля, характеризующегося векторами Е и В, в вещественной среде возникает движение свободных зарядов, смещение зарядов, связанных молекулярной структурой вещества, и изменяется ориентация оси вращения элементарных зарядов. [9]
![]() |
Воздействие электрического поля линии электропередачи на воздушную линию связи. [10] |
Под действием электромагнитного поля линии электропередачи ( 1 и 2) в цепи, образуемой проводами 3 и 4 линии связи, индуктируется электрический ток, мешающий работе этой линии ( подробнее о теории влияния см. в гл. [11]
![]() |
Воздействие электрического поля линии электропередачи на воздушную линию связи. [12] |
Под действием электромагнитного поля линии электропередачи ( / и 2) в цепи, образуемой проводами 3 и 4 линии связи, индуктируется электрический ток, мешающий работе этой линии ( подробнее о теории влияния см. в гл. [13]
Под действием электромагнитного поля рентгеновских лучей электроны атомов, входящих в кристаллическую решетку вещества, начинают колебаться. Частота вынужденных колебаний электронов будет равна частоте электромагнитного поля первичного пучка рентгеновских лучей. Колеблющийся атом становится источником электромагнитных волн, распространяющихся от него во все стороны с частотой, равной частоте первичного луча. Расположение атомов в любой кристаллической решетке закономерно и расстояния между ними в данном направлении одинаковы, поэтому лучи, рассеянные отдельными атомами, будут интерферировать между собой. Интенсивность их в одних направлениях будет получаться значительно больше, чем в других. Следовательно, для рентгеновских лучей кристалл является трехмерной дифракционной решеткой. [14]
![]() |
Дифракция рентгеновского излучения. [15] |