Действие - электростатическое поле
Cтраница 1
Действие электростатического поля трансформируется в силовое воздействие на электрические заряды, накапливающиеся на диэлектрических элементах измерительных механизмов. [1]
Под действием электростатического поля стекло поляризуется, что приводит к уменьшению энергии в системе полупроводник - кислород и повышению реакционной способности ионов кислорода, которые вступают в химическое взаимодействие с атомами соединяемого металла. Кроме того, поле ускоряет направленную диффузию атомов. [2]
Под действием электростатического поля частицы приобретают заряд. В зависимости от природы суспензированного вещества и от свойств дисперсионной жидкости заряд может быть положительным или отрицательным. За счет разности потенциалов между электродами частицы перемещаются и осаждаются на каждом из них. [3]
Электрогидравлические преобразователи с использованием действия электростатического поля на неподвижный в исходном состоянии ( и 0) одно - или двухфазный диэлектрик будем называть статическими соответственно с одно - или двухфазным диэлектриком. Если скорость v диэлектрической жидкости отлична от нуля при отсутствии электрического сигнала, то имеем кинетические ЭГП. [4]
В растворе электролита под действием электростатического поля катионы Си2 перемещаются к катоду, а анионы SOT - к аноду. Водный раствор электролита содержит и другие молекулы и ионы, которые могут окисляться анодным действием и восстанавливаться катодным действием тока. [5]
В растворе электролита под действием электростатического поля катионы Си2 перемещаются к катоду, а анионы SO - к аноду. [6]
 |
Электрическое сопротивление пыли. [7] |
Кроме этого заряда, полученного под действием электростатического поля, пылинки могут получать заряды в результате теплового ( молекулярного) движения ионов. Однако соответствующие данному случаю формулы очень сложны. [8]
Рельеф на поверхности масла образуется под действием электростатического поля. Заряды на штырьках создаются при помощи заливающего и записывающего электронных прожекторов; электроны поступают на торцы штырьков. Достаточно подробная схема матрицы показана на фиг. [9]
Для предотвращения сращивания молекул рабочей жидкости под действием поверхностного электростатического поля ( облитерации) в момент нахождения золотника в покое и под давлением рабочей жидкости, приводящего к значительному повышению усилия сдвига золотника, часто, особенно в автоматических или следящих системах, где золотники управляются от датчиков или электромеханических преобразователей, создают принудительную вибрацию золотников вдоль оси с малой амплитудой и частотой до 50 гц или вращают золотник вокруг оси. Это позволяет повысить чувствительность системы к управляющему сигналу. [10]
Осаждение взвешенных в жидкости частиц механических загрязнений под действием электростатического поля основано на взаимодействии между электродом и частицей, заряд которой обусловлен трибоэлектризацией потока диэлектрической жидкости. [11]
Предполагается, что вода вблизи иона сильно сжата под действием электростатического поля иона. Из данных Бриджмена [38] известно, что макроскопическая диэлектрическая проницаемость воды падает с повышением давления. [12]
Предполагается, что вода вблизи иона сильно сжата под действием электростатического поля иона. Из данных Бриджмена [38] известно, что макроскопическая диэлектрическая проницаемость воды падает с повышением давления. [13]
Предполагается, что вода вблизи иона сильно сжата под действием электростатического поля иона. Из данных Бриджмена [23] известно, что макроскопическая диэлектрическая проницаемость воды падает с повышением давления. [14]
В кристаллах орбитальные моменты электронов в значительной степени скомпенсированы действием электростатического поля кристаллической решетки, и их вклад в полный момент М атома или молекулы невелик. Поскольку спин не имеет электрического момента, поле кристаллической решетки незначительно влияет на спины, и поэтому полный магнитный момент можно оценить суммой спиновых магнитных моментов отдельных электронов. В атомах, ионах и молекулах с целиком заполненными электронными оболочками спины скомпенсированы, момент М 0, и такие вещества являются диамагнитными. Устойчивый парамагнетизм наблюдается в веществах, обладающих частично заполненными внутренними электронными оболочками с нескомпенсированными спинами: в никеле, в кобальте, в хроме, в группе редкоземельных элементов. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5