Действие - последнее
Cтраница 3
Результаты действия последних анализируются специальным устройством, входящим в состав системы - автоматического управления. [31]
Принцип действия последнего аналогичен описанному. В средний сосуд Б через отверстие Г насыпают куски FeS. Сосуд А заполняют кислотой. Когда кран Е закрыт и воздух из сосудов Б и В выйти не может, то кислотой можно заполнить сосуд В только до отверстия трубки Ж, трубку и сосуд А. [32]
 |
Прибор Дементьева для получения сероводорода. / - трубка для кислоты. 2 - широкая часть резервуара. 3 - узкое отверстие. 4 - газоотводная трубка с краном б. 5 - трубка для сливания кислоты. [33] |
Принцип действия последнего аналогичен описанному выше. В средний сосуд 2 через отверстие 4 насыпают куски FeS. [34]
Механизм действия последнего не выяснен. [35]
 |
Ванна для мойки автомобилей погружением. [36] |
Под действием последних разрушаются жировые пленки, покрывающие поверхность деталей. Разрушению жировых пленок способствуют отдельные мелкие кави-тационные пузырьки, которые проникают к поверхности детали через щели и разрывы пленки. Оторванные от поверхности детали частицы жира или накипи удаляются непрерывным потоком жидкости, создаваемым ультразвуковыми колебаниями. Для повышения качества очистки ультразвук применяется в сочетании с действием моющего раствора. Мойка производится при температуре 50 - 60 С. Применяются растворы и другого состава. [37]
Под действием последнего часть кристалла, расположенная левее линии EF, смещается на межатомное расстояние АА, в то время как части кристалла, находящиеся правее этой линии и ниже плоскости скольжения, имеют исходное состояние. Таким образом, в верхней части кристалла на длине A D в решетку кристалла будет встроена дополнительная ( лишняя) атомная полуплоскость ( экстраплоскость) EFGH, ограниченная плоскостью скольжения. Такое нарушение порядка расположения атомов в кристаллической решетке представляет собой краевую дислокацию ( рис. 1 - 19 6), обозначаемую символом 1, напоминающим о присутствии дополнительной полуплоскости. Линия EF ( J), вдоль которой искажение решетки максимально, называется линией дислокации. По мере удаления от линии дислокации ( ядра) смещения атомов от положения равновесия уменьшаются. Дислокации характеризуются вектором Бюргерса АА, который определяет смещение деформированной части кристалла относительно недеформированной. Другим простым типом дислокаций является винтовая дислокация, характеризуемая винтообразным ( подобно винтовой лестнице без ступенек) расположением атомных плоскостей вокруг линии дислокации как оси симметрии. [38]
Под действием последнего в зонах без гроз течет небольшой ток, а баланс обеспечивается грозами, поставляющими такой же ток, только в обратном направлении. [39]
Взаимо - действие последних приводит к образованию бензидина. [40]
N-диморфолилдисульфидом активирует действие последнего. Сообщает резиновым смесям меньшую склонность к подвулканизации, чем тиазолы и тиурамы. [41]
Изучение механизма действия последних ведется уже несколько десятилетий, и на основании полученного обширного экспериментального материала сформулированы некоторые принципы этого механизма. Показано, что в основе ферментативного катализа лежат три основные фактора: концентрацией ный эффект, ориентационный эффект, полифункциональный катализ. [42]
К -; действие последних проявляется только в присутствии ионов Mg2 и фосфата, так что истинным ингибитором в этом случае, по-видимому, является комплекс Mga - F - - фосфат. [43]
F -; действие последних проявляется только в присутствии ионов Mg ь и фосфата, так что истинным ингибитором в этом случае, по-видимому, является комплекс Mg2t - F - фосфат. [44]
Происхождение и механизм действия последних также не выяснены. [45]
Страницы: 1 2 3 4