Cтраница 1
![]() |
Зависимость радиационных повреждений в элементах РЭА от интегрального потока протонов. [1] |
Действие заряженных частиц на элементы РЭА космических летательных аппаратов в основном обусловливается теми же явлениями, какие имеют место при действии нейтронов и гамма-квантов ( см. стр. [2]
Действие заряженных частиц на элементы РЭА космических летательных аппаратов в основном вызывается теми же явлениями, какие имеют место при действии нейтронов и гамма-квантов, и были уже рассмотрены выше. При действии протонов с энергией более 400 - 500 Мэв в активном веществе элементов, особенно в ППП, могут происходить ядерные реакции, приводящие к превращению ядер и соответствующему разрушению р-п переходов. [3]
Под действием заряженных частиц идут реакции типа ( а, р), ( а, п), ( р а), ( р, / г), ( р, р), ( р, у) и ( р, d) и некоторые другие. [4]
Для реакций под действием заряженных частиц характерно наличие кулоновского потенциального барьера, который должны преодолеть частицы, чтобы проникнуть в ядро и вызвать реакцию. [5]
Все реакции под действием заряженных частиц являются пороговыми. [6]
Сила притяжения и сфера действия заряженной частицы уменьшается с расстоянием. Каждая частица имеет определенный ионный радиус. В твердой фазе притяжение противоположно заряженных частиц приводит к возникновению связей, которые препятствуют сольватации частицы и переходу ее в раствор. [7]
Кулоновский интеграл характеризует электростатическое взаимо действие заряженных частиц в рассматриваемой системе. [8]
Функционал S имеет вид функционала действия заряженной частицы на сфере S2 с метрикой даь в потенциальном поле U ( x) и в магнитном поле П 2 д Аг - fyAi нетривиального монополя, поскольку при s / 0 магнитное поле топологически нетривиально. [9]
IX рассмотрены ядерные реакции под действием заряженных частиц. Такие реакции имеют особенности, обусловленные наличием у них заряда. [10]
Вторая особенность ядерных реакций под действием заряженных частиц ( с энергией - 10 Мэв) связана с испытываемым ими интенсивным ионизационным торможением, из-за которого подавляющая часть заряженных частиц теряет свою кинетическую энергию, не испытав ядерного взаимодействия. [11]
Различия в механизмах образования ионов под действием заряженных частиц и у-квантов находят отражение в особенностях конструктивного оформления счетчиков, предназначенных для регистрации излучения соответствующего типа и энергии. К рассмотрению этих конструктивных особенностей мы теперь переходим. [13]
Рассматривая возможности осуществления ядерных реакций под действием заряженных частиц, следует иметь в виду еще одно обстоятельство. Потеряв энергию при таких ионизирующих столкновениях, заряженные частицы останавливаются и превращаются, захватив электроны, в нейтральные атомы. Пробег заряженных частиц в веществе оказывается поэтому весьма мал. Так, например, пробег в сйинце протонов с энергией 11 8 Мэв, равной высоте барьера, составляет всего 0 5 мм, а протонов с энергией 40 Мэв - 5 мм; еше гораздо меньше пробег а-частиц, равный для энергии 21 8 Мэв ( высота барьера) около 0 13 мм свинца, а для энергии 40 Мэв - 0 4 мм. Поэтому толщина мишени, в которой осуществляются ядерные реакции заряженных частиц, оказывается весьма малой, да к тому же по мере проникновения в эту мишень заряженные частицы быстро теряют энергию и выходят под барьер электростатического отталкивания, отчего сечение резко падает. Нейтроны малой энергии - тепловые и так называемые резонансные ( с энергией порядка электрон-вольт), захват которых ядрами приводит к возбуждению определеных ядерных уровней, взаимодействуют с ядрами весьма эффективно. При этом наиболее распространен так называемый радиационный захват таких нейтронов - ядерные реакции типа МА ( п, ) MA V с испусканием ч - квантов. [14]
Световые импульсы возникают в сцинтилляторе только под действием заряженных частиц. В случае регистрации - квантов световой импульс возникает под действием электронов, образующихся в сцинтилляторе по механизмам фотоэффекта ( фотоэлектроны), комптоновского рассеяния ( комптон-электроны) и образования пар электрон - позитрон ( см. гл. [15]